[发明专利]一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法无效
| 申请号： | 201110151982.0 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102222780A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 李刘中;丁宏哲;吕学兴;陈佳榆 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 曾红 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有源 矩阵 有机 发光二极管 器件 制造 方法 | ||
1.一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：
a在基板上连续沉积ITO膜与第一金属层，通过第一构图工艺形成栅极与阳极的图形；
b接着连续沉积栅绝缘层、半导体材料层及保护膜材料层，通过第二构图工艺形成半导体层与沟道保护层；
c通过第三构图工艺暴露出像素区的所述第一金属层，同时对所述半导体层与沟道保护层进行构图；
d继续沉积第二金属层以形成源/漏极；
e通过第四构图工艺暴露出所述阳极；以及
f接着沉积平坦层，通过第五构图工艺暴露出所述阳极。
2.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤a中同时形成存储电容的下电极。
3.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤d中同时形成所述存储电容的上电极。
4.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述第一构图工艺可以采用光刻蚀或铝酸与草酸刻蚀。
5.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述第二构图工艺可以同时采用光刻蚀、干刻蚀及草酸刻蚀，也可以只采用干刻蚀。
6.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述第三构图工艺可以采用光刻蚀或干刻蚀。
7.如权利要求6所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述第四构图工艺与所述第五构图工艺可以采用湿刻蚀。
8.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述步骤e与f之间更包括沉积钝化层的步骤。
9.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述第一金属层可以由金属铝、钼或它们的组合制成。
10.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，可以同时形成金属接触区及焊盘区的图形。
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