[发明专利]一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件的制造方法，尤其涉及一种有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件的制造方法。

背景技术

有源矩阵型有机发光二极管(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，缩写为AMOLED)器件是一种新型的平板显示器件。传统的液晶显示器(LCD)，自身不能发光，需要背光源。而有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件本身具有发光功能，是一种自发光器件，因此，有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件比LCD更能够做得轻薄，而且更省电。另外，有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。

当以有源矩阵方式来驱动具有TFT的OLED时，通过施加相对较低的电流就可以在各像素处获得相同的亮度，因此，AMOLED器件功耗低、分辨率高，并且其产品也可以具有较大的尺寸。

目前，现有技术在制造有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件时，先沉积形成平坦层后再形成阳极，这样OLED自身产生的光线从阳极向下必须穿过平坦层，容易发生光黄化的现象，导致AMOLED器件出现色偏问题，因此会影响AMOLED器件的成像质量。

有鉴于此，如何设计一种有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件的制造方法，可以避免光线从阳极穿过平坦层产生的黄化现象，以消除由此导致的色偏问题，是业内人士亟需解决的问题。

发明内容

针对现有技术中制造的有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件，光线从阳极向下需穿过平坦层会发生黄化现象，造成色偏问题，本发明提供了一种有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件的制造方法。

根据本发明的一个方面，提供了一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：在基板上连续沉积ITO膜与第一金属层，通过第一构图工艺形成栅极与阳极的图形；接着连续沉积栅绝缘层、半导体材料层及保护膜材料层，通过第二构图工艺形成半导体层与沟道保护层；通过第三构图工艺暴露出像素区的第一金属层，同时对半导体层与沟道保护层进行构图；继续沉积第二金属层以形成源/漏极；通过第四构图工艺暴露出阳极；接着沉积平坦层，通过第五构图工艺暴露出阳极。

优选地，在步骤a中同时形成存储电容的下电极。

优选地，在步骤d中同时形成存储电容的上电极。

优选地，第一构图工艺可以采用光刻蚀或铝酸与草酸刻蚀。

优选地，第二构图工艺可以同时采用光刻蚀、干刻蚀与草酸刻蚀，也可以只采用干刻蚀。

优选地，第三构图工艺可以采用光刻蚀或干刻蚀。

优选地，第四与第五第一构图工艺可以采用湿刻蚀。

优选地，步骤e与f之间更包括沉积钝化层的步骤。

优选地，第一金属层可以由金属铝、钼或它们的组合制成。

优选地，可以同时形成金属接触区及焊盘区。

本发明的优点是：有源矩阵型有机发光二极管器件像素区的ITO膜先于平坦层沉积，所以形成的阳极位于平坦层下面，当光从阳极向下运行时就无需穿过平坦层，因此避免了经过平坦层发生黄化而导致的色偏问题。另外，减少了制作工序，方便制程。

附图说明

读者在参照附图阅读了本发明的具体实施方式以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，

图1示出了现有技术制得的有源矩阵型有机发光二极管器件的剖面图；

图2～6示出了依据本发明的一个实施例制得的有源矩阵型有机发光二极管器件各个阶段的剖面图。

图7～13示出了依据本发明的另一个实施例制得的有源矩阵型有机发光二极管器件各个阶段的剖面图。

具体实施方式

下面参照附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细描述。

图1示出了现有技术制得的有源矩阵型有机发光二极管器件的剖面图。参照图1，平坦层10制作时位于阳极20的下面，当来自于发光层(未标示)的光经过阳极20向下，此时必须穿过平坦层10，会发生光黄化现象，由此导致有源矩阵型有机发光二极管器件的色偏问题，从而会影响有源矩阵型有机发光二极管器件的成像质量。

图2～6示出了依据本发明的一个实施例制得的有源矩阵型有机发光二极管器件各个阶段的剖面图。在以下的说明中，本发明所提到的构工艺包括刻胶涂覆、掩膜、曝光、刻蚀等工艺。首先参照图2，采用磁控溅射法或热蒸发法在基板100上依次沉积ITO膜110与第一金属层120。基板100可以是玻璃基板，第一金属层120由金属铝、钼或它们的组合制成。