[发明专利]类单晶硅片的制绒方法有效
| 申请号： | 201110144910.3 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810594A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 童锐;石东益;王俊;刘家益 | 申请（专利权）人： | 茂迪（苏州）新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池用类单晶(mono-like)硅片的制绒方法，其主要包括：依据整片硅片上晶粒的晶向不同将所述硅片分为第一区域和第二区域；然后根据不同区域采用不同的制绒方式，即通过掩膜方式保证在使对应区域获取低反射率的方式进行制绒的同时，保护另一区域的反射率不会受到对上述区域进行相关制绒的影响。通过本发明公开的太阳能电池用类单晶(mono-like)硅片的制绒方法，对同一硅片表面上不同晶向的区域分别采用相对应的制绒方式，能够保证获得比现有技术更低的反射率和较高的太阳能电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池用类单晶硅片的制绒方法，其特征在于，包括：依据整片硅片上晶粒晶向的不同将所述硅片分为第一区域和第二区域；涂覆掩膜至所述硅片的所述第一区域；对整片所述硅片进行对应使所述第二区域获取低反射率的制绒；去除所述第一区域上的掩膜；涂覆掩膜至所述硅片的所述第二区域；对整片所述硅片进行对应使所述第一区域获取低反射率的制绒；去除所述第二区域上的掩膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于茂迪（苏州）新能源有限公司，未经茂迪（苏州）新能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110144910.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
