[发明专利]类单晶硅片的制绒方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造领域，更具体的说是涉及一种类单晶(mono-like)硅片(晶片)的制绒方法。

背景技术

硅片(也称为晶片)是生产太阳能电池片所用的载体，一般分为单晶硅片和多晶硅片。类单晶(mono-like)硅片，一般指采用多晶生长方式长成类似单晶结构，且在同一硅片表面上既存在单晶区域也存在多晶区域的晶片，在现有的太阳能电池制造领域内，该类单晶硅片也称为“假单晶”或者“伪单晶”硅片等。

其中，在对该类单晶硅片进行制绒的过程中，与采用酸制绒的方式相比，单晶采用碱制绒能获得更低的反射率，而多晶则是采用酸制绒会比采用碱制绒获取到更低的反射率。因此，为获得较低的反射率和较高的转换效率，现有技术中在对类单晶(mono-like)硅片进行制绒的过程中，一般首先区分硅片上的单晶或多晶的面积，当硅片表面单晶所占比例较大时，则采用碱制绒，而当硅片表面多晶所占比例较大时，则采用酸制绒。

但是，采用现有技术针对硅片表面的单晶和多晶面积的比例大小进行分类后，再进行酸或碱制绒时，其中，当对同一硅片上多晶面积所占比例较大的硅片进行酸制绒，虽然能相对获得较低的反射率和较高的转换效率，但是对此硅片单晶区域而言，采用酸制绒对反射率损失较大；同样，但对同一硅片上单晶面积所占比例较大的硅片进行碱制绒，多晶区域反射率损失也较大。

因此，采用现有技术中的方式对硅片进行制绒时，并不能避免采用酸制绒时对硅片中的单晶区域的反射率造成损失，以及不能避免采用碱制绒时对硅片中的多晶区域抛光，导致其反射率高，从而影响整个硅片的反射率和转换效率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种类单晶(mono-like)硅片的制绒方法，以克服现有技术对硅片进行制绒的过程中，不能避免酸制绒对单晶区域或碱制绒对多晶区域的影响，造成整个硅片的反射率高和转换效率低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种太阳能电池用类单晶硅片的制绒方法，包括：

依据整片硅片上晶粒晶向的不同将所述硅片分为第一区域和第二区域；

涂覆掩膜至所述硅片的所述第一区域；

对整片所述硅片进行对应使所述第二区域获取低反射率的制绒；

去除所述第一区域上的掩膜；

涂覆掩膜至所述硅片的所述第二区域；

对整片所述硅片进行对应使所述第一区域获取低反射率的制绒；

去除所述第二区域上的掩膜。

优选地，包括：

当所述第一区域为单晶区域，所述第二区域为多晶区域时：

对应使所述第一区域获取低反射率的制绒方式为碱制绒；

对应使所述第二区域获取低反射率的制绒方式为酸制绒。

优选地，包括：

当所述第一区域为多晶区域，所述第二区域为单晶区域时：

对应使所述第一区域获取低反射率的制绒方式为酸制绒；

对应使所述第二区域获取低反射率的制绒方式为碱制绒。

优选地，所述掩膜包括：聚乙烯蜡。

优选地，所述去除掩膜的方式包括：

采用高温挥发的方式去除所述掩膜；

或者，采用溶剂清洗所述掩膜，所述溶剂包括庚烷。

一种太阳能电池用类单晶硅片的制绒方法，包括：

依据整片所述硅片上的晶粒晶向的不同将所述硅片分为第一区域和第二区域，所述第一区域为多晶区域，所述第二区域为单晶区域；

对整片所述硅片进行对应使所述第一区域获取低反射率的酸制绒；

涂覆掩膜至所述硅片的所述第一区域；

对整片所述硅片进行对应使所述第二区域获取低反射率的碱制绒；

去除所述第一区域上的掩膜。

优选地，所述掩膜包括：聚乙烯蜡。

优选地，所述去除掩膜的方式包括：

采用高温挥发的方式去除所述掩膜；

或者，采用溶剂清洗所述掩膜，所述溶剂包括庚烷。

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明公开了一种类单晶(mono-like)硅片(晶片)的制绒方法，通过依据整片硅片上晶粒晶向的不同将所述硅片分为第一区域和第二区域；然后根据不同区域采用不同的制绒方式，即通过掩膜方式保证使对应区域获取低反射率的方式进行制绒的同时，保护另一区域的反射率不会受到对上述区域进行相关制绒的影响。通过本发明公开的硅片的制绒方法，对同一硅片表面上不同晶向的区域分别采用相对应的制绒方式，能够保证获得比现有技术更低的反射率和较高的转换效率。