[发明专利]类单晶硅片的制绒方法

权利要求书

1.一种太阳能电池用类单晶硅片的制绒方法，其特征在于，包括：

依据整片硅片上晶粒晶向的不同将所述硅片分为第一区域和第二区域；

涂覆掩膜至所述硅片的所述第一区域；

对整片所述硅片进行对应使所述第二区域获取低反射率的制绒；

去除所述第一区域上的掩膜；

涂覆掩膜至所述硅片的所述第二区域；

对整片所述硅片进行对应使所述第一区域获取低反射率的制绒；

去除所述第二区域上的掩膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

当所述第一区域为单晶区域，所述第二区域为多晶区域时：

对应使所述第一区域获取低反射率的制绒方式为碱制绒；

对应使所述第二区域获取低反射率的制绒方式为酸制绒。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

当所述第一区域为多晶区域，所述第二区域为单晶区域时：

对应使所述第一区域获取低反射率的制绒方式为酸制绒；

对应使所述第二区域获取低反射率的制绒方式为碱制绒。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述掩膜包括：聚乙烯蜡。

5.根据权利要求1～3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述去除掩膜的方式包括：

采用高温挥发的方式去除所述掩膜；

或者，采用溶剂清洗所述掩膜，所述溶剂包括庚烷。

6.一种太阳能电池用类单晶硅片的制绒方法，其特征在于，包括：

依据整片所述硅片上的晶粒晶向的不同将所述硅片分为第一区域和第二区域，所述第一区域为多晶区域，所述第二区域为单晶区域；

对整片所述硅片进行对应使所述第一区域获取低反射率的酸制绒；

涂覆掩膜至所述硅片的所述第一区域；

对整片所述硅片进行对应使所述第二区域获取低反射率的碱制绒；

去除所述第一区域上的掩膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述掩膜包括：聚乙烯蜡。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除掩膜的方式包括：

采用高温挥发的方式去除所述掩膜；

或者，采用溶剂清洗所述掩膜，所述溶剂包括庚烷。