[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号: | 201110144670.7 | 申请日: | 2011-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN102263141A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
| 发明(设计)人: | 李正贤 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0264;H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 公开了一种太阳能电池及其制造方法,便于通过使半导体晶片中产生的载流子诸如空穴或电子平稳地漂移到第一和第二电极来提高电池效率,该太阳能电池包括:具有预定极性的半导体晶片;在半导体晶片的一个表面上的第一半导体层;在第一半导体层上的第一透明导电层;在第一透明导电层上的第一电极;在半导体晶片的另一个表面上的第二半导体层,其中第二半导体层与第一半导体层的极性不同;在第二半导体层上的第二透明导电层;在第二透明导电层上的第二电极;第一和第二辅助层中的至少一个,其中第一辅助层形成在第一半导体层和第一透明导电层之间以便半导体晶片中产生的载流子平稳地漂移到第一透明导电层,第二辅助层形成在第二半导体层和第二透明导电层之间以便半导体晶片中产生的载流子平稳地漂移到第二透明导电层。 | ||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:具有预定极性的半导体晶片;在所述半导体晶片的一个表面上的第一半导体层;在所述第一半导体层上的第一透明导电层;在所述第一透明导电层上的第一电极;在所述半导体晶片的另一个表面上的第二半导体层,其中所述第二半导体层与所述第一半导体层的极性不同;在所述第二半导体层上的第二透明导电层;在所述第二透明导电层上的第二电极;以及第一和第二辅助层中的至少一个,其中所述第一辅助层形成在所述第一半导体层和所述第一透明导电层之间以便在所述半导体晶片中产生的载流子平稳地漂移到所述第一透明导电层,所述第二辅助层形成在第二半导体层和第二透明导电层之间以便在所述半导体晶片中产生的载流子平稳地漂移到第二透明导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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