[发明专利]太阳能电池及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用 

本发明要求2010年5月27日提交的韩国专利申请第P2010-0049713号的优先权，其全部内容包括在此作为参考。 

技术领域

本申请涉及太阳能电池。 

背景技术

具有半导体特性的太阳能电池将光能转换成电能。 

太阳能电池形成在PN结结构中，其中正(P)型半导体与负(N)型半导体形成接合。当太阳光线入射到具有PN结结构的太阳能电池上时，由于太阳光线的能量导致在半导体中产生空穴(+)和电子(-)。在PN结中产生的电场的作用下，空穴(+)向着P型半导体漂移，电子(-)向着N型半导体漂移，从而随着电势的出现而产生了电功率。 

太阳能电池可被分成晶片型太阳能电池和薄膜型太阳能电池。 

晶片型太阳能电池使用由诸如硅的半导体材料制成的晶片。而薄膜型太阳能电池是通过在玻璃基板上形成薄膜型半导体来制造的。 

就效率而言，晶片型太阳能电池比薄膜型太阳能电池好。薄膜型太阳能电池的优势在于其制造成本比晶片型太阳能电池相对低。 

已经提出了通过将晶片型太阳能电池与薄膜型太阳能电池相结合而获得的相关技术的太阳能电池。下面将参考附图描述相关技术的太阳能电池。 

图1是图示相关技术太阳能电池的剖面图。 

如图1所示，相关技术的太阳能电池包括：半导体晶片10、第一半导体层20、第一电极30、第二半导体层40、和第二电极50。 

第一半导体层20以薄膜的形式形成在半导体晶片10的上表面上；第二半导体层40以薄膜的形式形成在半导体晶片10的下表面上。从而可以通过组合 半导体晶片10、第一半导体层20和第二半导体层40而获得PN结结构。 

第一电极30形成在第一半导体层20上，第二电极50形成在第二半导体层40上，从而第一电极30和第二电极50分别起到太阳能电池的(+)和(-)极的作用。 

当太阳光线入射到相关技术的太阳能电池上时，在半导体晶片10中产生诸如空穴或电子的载流子，产生的载流子经由第一半导体层20漂移到第一电极30，并经由第二电极层40同时漂移到第二电极50。 

然而，在相关技术太阳能电池的例子中，在半导体晶片10中产生的载流子不会平稳地漂移到第一电极30或第二电极50，从而由于变差的迁移率而降低了电池效率。 

发明内容

因此，本发明旨在提供基本消除了由于相关技术的局限性和缺点而产生的一个或多个问题的太阳能电池及其制造方法。 

本发明的一个目的是提供一种便于通过使半导体晶片中产生的诸如空穴或电子这样的载流子平稳地漂移到第一和第二电极而提高电池效率的太阳能电池及其制造方法。 

本发明的其它优点、目的和特征一部分将在下面的描述中阐述，一部分将在本领域普通技术人员细查了下面的内容之后变得显而易见，或者通过对本发明的实践获知。本发明的目的和其他优点可以通过在说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。 

为了实现这些目的和其他优点以及根据本发明的目的，如这里所具体表达的和在此描述的，提供一种太阳能电池，包括：具有预定极性的半导体晶片；在半导体晶片一个表面上的第一半导体层；在该第一半导体层上的第一透明导电层；在该第一透明导电层上的第一电极；在半导体晶片的另一个表面上的第二半导体层，其中该第二半导体层与该第一半导体层的极性不同；在第该二半导体层上的第二透明导电层；在该第二透明导电层上的第二电极；第一和第二辅助层中的至少一个，其中第一辅助层形成在第一半导体层和第一透明导电层之间以便半导体晶片中产生的载流子平稳地漂移到第一透明导电层，第二辅助层形成在第二半导体层和第二透明导电层之间以便半导体晶片中产生的载流 子平稳地漂移到第二透明导电层。 

在本发明的另一个方面，一种制造太阳能电池的方法包括：在具有预定极性的半导体晶片的一个表面上形成第一半导体层；在该第一半导体层上形成第一透明导电层；在该第一透明导电层上形成第一电极；在半导体晶片的另一个表面上形成第二半导体层，其中第二半导体层与第一半导体层的极性不同；在该第二半导体层上形成第二透明导电层；在该第二透明导电层上形成第二电极；形成第一和第二辅助层中的至少一个，其中第一辅助层形成在第一半导体层和第一透明导电层之间以便半导体晶片中产生的载流子平稳地漂移到第一透明导电层，第二辅助层形成在第二半导体层和第二透明导电层之间以便半导体晶片中产生的载流子平稳地漂移到第二透明导电层。