[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

具有预定极性的半导体晶片；

在所述半导体晶片的一个表面上的第一半导体层；

在所述第一半导体层上的第一透明导电层；

在所述第一透明导电层上的第一电极；

在所述半导体晶片的另一个表面上的第二半导体层，其中所述第二半导体层与所述第一半导体层的极性不同；

在所述第二半导体层上的第二透明导电层；

在所述第二透明导电层上的第二电极；以及

第一和第二辅助层中的至少一个，其中所述第一辅助层形成在所述第一半导体层和所述第一透明导电层之间以便在所述半导体晶片中产生的载流子平稳地漂移到所述第一透明导电层，所述第二辅助层形成在第二半导体层和第二透明导电层之间以便在所述半导体晶片中产生的载流子平稳地漂移到第二透明导电层。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一辅助层由负(-)极性材料层形成以吸引在所述半导体晶片中产生的空穴，并且所述第二辅助层由正(+)极性材料层形成以吸引在所述半导体晶片中产生的电子。

3.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一辅助层包括富氧氧化物，并且所述第二辅助层包括稀氧氧化物。

4.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一辅助层包括含第III族元素的氧化物，并且所述第二辅助层包括含第IV族元素的氧化物。

5.如权利要求4所述的太阳能电池，其中所述第一辅助层包括Al₂O₃、Ga₂O₃、或In₂O₃，所述第二辅助层包括SiOx、TiOx、ZrOx、或HfOx。

6.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一半导体层由P型半导体层形成，并且所述第二半导体层由N型半导体层形成。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一和第二半导体层中的至少一个半导体层包括在所述半导体晶片上的轻掺杂半导体层和在所述轻掺杂半导体层上的重掺杂半导体层。

8.如权利要求1所述的太阳能电池，其中在所述半导体晶片与所述第一半导体层之间和所述半导体晶片与所述第二半导体层之间的部分中的至少一个中还形成本征半导体层。

9.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一和第二透明导电层中的至少一个由包含ZnO的化合物形成。

10.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一电极形成为预定的图案以接收入射的太阳光线。

11.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一或第二辅助层的厚度不大于3nm。

12.一种用于制造太阳能电池的方法，包括：

在具有预定极性的半导体晶片的一个表面上形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成第一透明导电层；

在所述第一透明导电层上形成第一电极；

在半导体晶片的另一个表面上形成第二半导体层，其中所述第二半导体层与所述第一半导体层的极性不同；

在所述第二半导体层上形成第二透明导电层；

在所述第二透明导电层上形成第二电极；以及

形成第一和第二辅助层中的至少一个，其中所述第一辅助层形成在所述第一半导体层和所述第一透明导电层之间以便半导体晶片中产生的载流子平稳地漂移到第一透明导电层，并且第二辅助层形成在第二半导体层和第二透明导电层之间以便半导体晶片中产生的载流子平稳地漂移到第二透明导电层。

13.如权利要求12所述的方法，

其中形成第一辅助层的工艺包括形成负(-)极性的富氧氧化物层以吸引在半导体晶片中产生的空穴，以及

其中形成第二辅助层的工艺包括形成正(+)极性的稀氧氧化物层以吸引在半导体晶片中产生的电子。

14.如权利要求13所述的方法，

其中形成第一半导体层的工艺括形成P型半导体层，以及

其中形成第二半导体层的工艺包括形成N型半导体层。

15.如权利要求12所述的方法，还包括在所述半导体晶片与所述第一半导体层之间和在所述半导体晶片与所述第二半导体层之间的部分中的至少一个中的另外的本征半导体层。