[发明专利]等离子体处理装置及其处理气体供给机构有效
申请号: | 201110142111.2 | 申请日: | 2011-05-26 |
公开(公告)号: | CN102263025A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 饭塚八城 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种与现有技术相比能够提高处理的面内均一性的等离子体处理装置及其处理气体供给机构。它是一种在处理腔内发生电感耦合等离子体然后对被收纳在处理腔内的基板进行处理的等离子体处理装置,它具备:以覆盖处理腔的上部开口的方式设置,且具备电介质窗的上盖;设置于处理腔外的电介质窗的上部的高频线圈;以位于电介质窗的内侧的方式被支承于上盖,采用层叠具有透孔的多个板体而成的层叠体构成,通过设置于板体之间或者板体与电介质窗之间且其端部向透孔的边缘部开口的多个槽状的气体通道,从多个部位朝着水平方向向处理腔内供给处理气体的气体供给机构。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 及其 气体 供给 机构 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其是一种在处理腔内发生电感耦合等离子体来对收纳在所述处理腔内的基板进行处理的等离子体处理装置,其特征在于,包括:以覆盖所述处理腔的上部开口的方式设置的具有电介质窗的上盖;设置于所述处理腔外的所述电介质窗的上部的高频线圈;和气体供给机构,其以位于所述电介质窗的内侧的方式被支承于所述上盖,由层叠具有透孔的多块板体而成的层叠体构成,通过设置于所述板体之间或所述板体与所述电介质窗之间的、端部在所述透孔的边缘部开口的多个槽状的气体通道,从多个部位朝着水平方向向所述处理腔内供给处理气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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