[发明专利]等离子体处理装置及其处理气体供给机构

说明书

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置及其处理气体供给机构。

背景技术

现有技术中，在半导体装置的制造领域等中，作为在半导体晶片等基板上进行成膜处理和蚀刻处理等处理的装置，有一种使用电感耦合等离子体(ICP)的等离子体处理装置。

作为使用ICP的等离子体处理装置的处理气体供给机构，有一种方式是，在处理室的上部设有高频线圈的等离子体处理装置中，例如，在基板的周围的高频线圈和基板之间的空间设置由环状的中空管形成的处理气体供给机构，从设置于中空管的内侧的多个气体吹出口向基板的上部空间喷出处理气体(例如，参照专利文献1)。

另外，还有一种方式是，在处理室的侧壁部设有高频线圈的等离子体处理装置中，例如，从处理室的上部中央向基板的上部的空间喷出处理气体(例如，参照专利文献2)。

上述处理气体供给机构均是使用孔和狭缝的开口构成的喷嘴状的构造的方式。在处理室的上部设有高频线圈的等离子体处理装置的情况下，如果在基板的上部存在导入气体所需的大的构件，那么，基板被该构件遮挡，基板的处理状态有可能变得不均一。另外，如果采用在基板的上部且高频线圈的下部设有气体扩散室的结构，必须设法防止该空间中的放电现象。因此，喷出气体的部位基本上被局限在基板的中央部以及外周部。

专利文献1日本特开2001-85413号公报

专利文献2日本专利第3845154号公报

发明内容

如上所述，在现有的等离子体处理装置及其处理气体供给机构中，喷出气体的部位受到制约，因此，存在难以通过控制处理气体的供给状态来提高处理的面内均一性这样的问题。

本发明就是针对上述现有情况而产生的，其目的在于，提供一种与过去相比能够提高处理的面内均一性的等离子体处理装置及其处理气体供给机构。

本发明的等离子体处理装置，其特征在于，它是一种在处理腔内发生电感耦合等离子体来对被收纳在所述处理腔内的基板进行处理的等离子体处理装置，它具备：以覆盖所述处理腔的上部开口的方式设置的且具备电介质窗的上盖；设置于所述处理腔外的所述电介质窗的上部的高频线圈；以位于所述电介质窗的内侧的方式被支承于所述上盖，由层叠具有透孔的多个板体而成的层叠体形成，通过设置于所述板体之间或所述板体与所述电介质窗之间且其端部在所述透孔的边缘部开口的多个槽状的气体通道，从多个部位朝着水平方向向所述处理腔内供给处理气体的气体供给机构。

本发明的等离子体处理装置的处理气体供给机构，其特征在于，它是一种等离子体处理装置的处理气体供给机构，该等离子体处理装置具备：以覆盖处理腔的上部开口的方式设置，且具备电介质窗的上盖；和设置于所述处理腔外的所述电介质窗的上部的高频线圈，通过对所述高频线圈施加高频电力，在所述处理腔内发生电感耦合等离子体来对被收纳在所述处理腔内的基板进行处理，以位于所述电介质窗的内侧的方式被支承于所述上盖，由层叠具有透孔的多个板体而成的层叠体形成，通过设置于所述板体之间或所述板体与所述电介质窗之间且其端部在所述透孔的边缘部开口的多个槽状的气体通道，从多个部位朝着水平方向向所述处理腔内供给处理气体。

根据本发明，能够提供一种与现有技术相比能够提高处理的面内均一性的等离子体处理装置及其处理气体供给机构。

附图说明

图1是本发明的第1实施方式的等离子体蚀刻装置的结构图。

图2是放大表示图1的等离子体蚀刻装置的主要部分结构的纵剖面图。

图3是本发明的第2实施方式的等离子体蚀刻装置的结构图。

图4是放大表示图3的等离子体蚀刻装置的主要部分结构的纵剖面图。

图5是本发明的第3实施方式的等离子体蚀刻装置的结构图。

图6是放大表示图5的等离子体蚀刻装置的主要部分结构的纵剖面图。

图7是本发明的第4实施方式的等离子体蚀刻装置的结构图。

图8是放大表示图7的等离子体蚀刻装置的主要部分结构的纵剖面图。

图9是本发明的第5实施方式的等离子体蚀刻装置的结构图。

图10是图9的等离子体蚀刻装置的主要部分的结构图。

图11是图9的等离子体蚀刻装置的主要部分的结构图。

图12是图9的等离子体蚀刻装置的主要部分的结构图。

图13是图9的等离子体蚀刻装置的主要部分的结构图。

图14是本发明的第6实施方式的等离子体蚀刻装置的主要部的结构图。

符号说明

1......等离子体蚀刻装置