[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种LTPS TFT阵列基板及其制作方法，该LTPS TFT阵列基板包括：基板；栅电极，形成于基板上方；栅绝缘层，覆盖于基板和栅电极上方；有源层，形成于栅绝缘层对应栅电极的上方；源漏电极，形成于有源层上方；像素电极，形成于源漏电极和栅绝缘层上方。本发明的LTPS TFT阵列基板采用底栅型TFT设计，将有源层和源漏电极通过一个掩模板经同一次光刻工艺得到，简化了制作流程，缩短了生产时间，降低了产品成本，提高了产品质量。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管LTPS TFT阵列基板，其特征在于，所述LTPSTFT阵列基板包括：基板、栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极及像素电极；其中，栅电极，形成于基板上方；栅绝缘层，覆盖于基板和栅电极上方；有源层，形成于栅绝缘层对应栅电极的上方；源漏电极，形成于有源层上方；像素电极，形成于源漏电极和栅绝缘层上方。