[发明专利]制造3D非易失性存储器件的方法有效

专利信息
申请号: 201110140015.4 申请日: 2011-05-27
公开(公告)号: CN102683291A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 周瀚洙;朴梄珍;吴尚炫 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L21/8247 分类号: H01L21/8247;H01L21/768;H01L21/762
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种制造3D非易失性存储器件的方法,包括以下步骤:在衬底之上形成次沟道;在衬底之上形成叠层,所述叠层包括与导电层交替层叠的多个层间电介质层;选择性地刻蚀叠层以形成暴露出次沟道的第一开放区;形成主沟道导电层以间隙填充第一开放区;选择性地刻蚀叠层和主沟道导电层以形成限定出多个主沟道的第二开放区;以及形成隔离层以间隙填充第二开放区。
搜索关键词: 制造 非易失性存储器 方法
【主权项】:
一种制造三维非易失性存储器件的方法,包括以下步骤:在衬底之上形成次沟道;在所述衬底之上形成叠层,所述叠层包括与导电层交替层叠的多个层间电介质层;选择性地刻蚀所述叠层,以形成暴露出所述次沟道的第一开放区;形成主沟道导电层以间隙填充所述第一开放区;选择性地刻蚀所述叠层和所述主沟道导电层,以形成限定出多个主沟道的第二开放区;以及形成隔离层以间隙填充所述第二开放区。
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