[发明专利]发光器件、发光器件封装以及发光装置系统无效
申请号: | 201110134680.2 | 申请日: | 2011-05-16 |
公开(公告)号: | CN102263176A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 范熙荣;金省均 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/48;H01L33/62;F21S2/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及发光器件、发光器件封装以及发光装置系统。发光器件包括:衬底;在衬底上的发光结构,该发光结构包括具有暴露的区域的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层;在第一导电半导体层的暴露的区域上的第一电极;以及在第二导电半导体层上的第二电极,其中发光结构的侧面具有从基准平面倾斜的第一倾斜侧面,第一倾斜侧面具有其中第一方向长度大于第二方向长度的凹凸结构,基准平面是垂直于衬底面向发光结构的方向的平面,并且第一方向是第一倾斜侧面的倾斜方向并且第二方向是第一倾斜侧面的横向方向。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 以及 装置 系统 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:衬底;在所述衬底上的发光结构,所述发光结构包括具有暴露的区域的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层;在所述第一导电半导体层的暴露的区域上的第一电极;以及在所述第二导电半导体层上的第二电极,其中所述发光结构的侧面包括从基准平面倾斜的第一倾斜侧面,所述第一倾斜侧面包括其中第一方向长度大于第二方向长度的凹凸结构,所述基准平面是垂直于所述衬底面向所述发光结构的方向的平面,并且所述第一方向是所述第一倾斜侧面的倾斜方向并且所述第二方向是所述第一倾斜侧面的横向方向。
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