[发明专利]发光器件、发光器件封装以及发光装置系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括具有暴露的区域的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；

在所述第一导电半导体层的暴露的区域上的第一电极；以及

在所述第二导电半导体层上的第二电极，

其中所述发光结构的侧面包括从基准平面倾斜的第一倾斜侧面，所述第一倾斜侧面包括其中第一方向长度大于第二方向长度的凹凸结构，所述基准平面是垂直于所述衬底面向所述发光结构的方向的平面，并且所述第一方向是所述第一倾斜侧面的倾斜方向并且所述第二方向是所述第一倾斜侧面的横向方向。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一倾斜侧面包括所述第一导电半导体层、所述有源层以及所述第二导电半导体层中的每一个的侧面。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一倾斜侧面包括所述第一导电半导体层的侧面。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光结构包括由于台面蚀刻所述第二导电半导体层、所述有源层以及所述第一导电半导体层的一部分而暴露的所述第一导电半导体层的区域，并且

所述第一倾斜侧面包括被定位在通过台面蚀刻暴露的所述第一导电半导体层的上表面和所述衬底之间的所述第一导电半导体层的第一部分的侧面。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一倾斜侧面从所述基准平面以5°～85°的角度倾斜。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述凹凸结构包括突出部分和凹陷部分，并且所述突出部分和凹陷部分中的每一个具有大于所述第二方向长度的第一方向长度。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第二方向上的所述突出部分和所述凹陷部分中的每一个的截面形状包括正方形、矩形以及三角形，或者像圆形和椭圆形那样的曲线形状，或者尖头形状。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述衬底具有从所述基准平面倾斜的第二倾斜侧面。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第二倾斜侧面具有其中第三方向长度大于第四方向长度的凹凸结构，其中所述第三方向是所述第二倾斜侧面的倾斜方向，并且所述第四方向是所述第二倾斜侧面的横向方向。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二倾斜侧面接触匹配到所述第二倾斜侧面的所述第一倾斜侧面，并且被设置在相同的倾斜面上。

11.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一倾斜侧面和匹配到第一倾斜侧面的所述第二倾斜侧面的凹凸结构相互接触并且具有相同的外形。

12.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第二倾斜侧面从所述基准平面以5°～85°的角度倾斜。

13.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一倾斜侧面和所述第二倾斜侧面相对于所述基准平面具有彼此相同的倾斜角。

14.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一倾斜侧面和所述第二倾斜侧面相对于所述基准平面具有彼此不同的倾斜角。

15.根据权利要求4所述的发光器件，其中通过台面蚀刻形成在所述第一部分上的台面结构的侧面是垂直的，其中所述台面结构包括所述第一导电半导体层的第二部分、所述有源层以及所述第二导电半导体层，并且所述第二部分是被定位在所述第一部分上的所述第一导电半导体层的剩余部分。

16.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电半导体层上的导电层，并且所述第二电极被布置在所述导电层上。

17.根据权利要求9所述的发光器件，其中将所述第一倾斜侧面连接到所述第二倾斜侧面的线从所述基准平面以5°～85°的角度倾斜。

18.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光结构能够具有随着所述发光结构从所述第二导电半导体层向所述第一导电半导体层越多而变得越大的横截面面积。