[发明专利]固体摄像装置的制造方法有效
申请号: | 201110113082.7 | 申请日: | 2011-03-18 |
公开(公告)号: | CN102315232A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 大武一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的一实施例的固体摄像装置的制造方法,具有:在半导体基板的主表面上形成透明树脂层的步骤;采用在相互隔开的位置上具有第一透过区域和光透过率比该区域高的第二透过区域的光栅掩膜地对所述透明树脂层进行曝光的步骤;在相互隔开的位置上形成第一树脂图案和比该图案低的第二树脂图案的步骤;以及形成第一微透镜和比该透镜低的第二微透镜的步骤。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置的制造方法,其特征在于,包括:在具有多个光电二极管层的半导体基板的主表面上形成透明树脂层的步骤;将在相互隔开的位置上具有第一透过区域和光透过率比该第一透过区域高的第二透过区域的光栅掩膜配置为所述第一透过区域和所述第二透过区域分别位于所述光电二极管上之后,采用所述光栅掩膜地对所述透明树脂层进行曝光的步骤;通过对所述透明树脂层进行显影,在相互隔开的位置上形成第一树脂图案和比该第一树脂图案的高度低的第二树脂图案的步骤;以及通过对所述第一树脂图案和所述第二树脂图案进行热处理,形成第一微透镜和比该第一微透镜的高度低的第二微透镜的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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