[发明专利]固体摄像装置的制造方法有效
申请号: | 201110113082.7 | 申请日: | 2011-03-18 |
公开(公告)号: | CN102315232A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 大武一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请以2010年6月30日申请的在先日本专利申请第2010-149618号为基础并要求其优先权,其全部内容并入本文以供参考。
技术领域
本发明涉及固定摄像装置的制造方法。
背景技术
现有的固体摄像装置具有:在半导体基板上形成为格子状的多个光电二极管;在这些光电二极管上分别形成的多个滤色器层;和在这些滤色器层上形成的多个微透镜。光电二极管、滤色器层和微透镜形成像素。
在每个像素中形成的各滤色器层,例如由透过红色波长的光的红色滤色器层,透过绿色波长的光的绿色滤色器层,透过蓝色波长的光的蓝色滤色器层的任何一个构成。这些三色的滤色器层形成为这些表面处于同一平面上。三色的滤色器层在半导体基板上被进行拜耳(ベィャ一)排列。
各色滤色器层的光的折射率不同。但是,各微透镜在表面为同一平面地形成的各色滤色器层上形成为具有相同的高度。因此,透过各微透镜和各滤色器层而聚光在光电二极管上的光的焦点位置按滤色器层的每种透过波长而不同。结果,每个像素对光的灵敏度不同。
为了调节各像素的灵敏度,可以对每个像素调节微透镜的高度。但是,在形成高度相互不同的多个微透镜的情况下,需要重复多次微透镜的制造步骤。即,在先形成高度统一的多个微透镜之后,由微透镜材料覆盖规定的微透镜。由此,仅规定的微透镜比其他的微透镜变高。
对于以上说明的微透镜的制造方法,在形成高度统一的多个微透镜的情况下,可以由一次步骤制造所有的微透镜。因此,在制造具有高度相互不同的多个微透镜的固体摄像装置的情况下,与制造具有高度统一的多个微透镜的固体摄像装置的情况相比较,存在制造步骤数量增加的问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种固体摄像装置的制造方法,不增加制造步骤即可制造具有不同高度的微透镜的固体摄像装置。
根据实施方式的固体摄像装置的制造方法,其特征在于,包括:
在具有多个光电二极管层的半导体基板的主表面上形成透明树脂层的步骤;
将在相互隔开的位置上具有第一透过区域和光透过率比该第一透过区域高的第二透过区域的光栅掩膜配置为所述第一透过区域和所述第二透过区域分别位于所述光电二极管上之后,采用所述光栅掩膜地对所述透明树脂层进行曝光的步骤;
通过显影所述透明树脂层,在相互隔开的位置上形成第一树脂图案和比该图案的高度低的第二树脂图案的步骤;以及
通过对所述第一树脂图案和所述第二树脂图案进行热处理,形成第一微透镜和比该微透镜的高度低的第二微透镜的步骤。
根据上述构成的固体摄像装置制造方法,能够制造具有不同高度的微透镜的固体摄像装置,而不增加制造步骤。
附图说明
图1是示出由根据第一实施例的固体摄像装置的制造方法所制造的固体摄像装置的主要部分的俯视图。
图2是沿图1中的点划线X-X′的装置的主要部分的截面图。
图3是沿图1中的点划线Y-Y′的装置的主要部分的截面图。
图4是示出在图1的固体摄像装置的制造方法中使用的光栅掩膜的主要部分的俯视图。
图5是沿图4中的点划线X-X′的掩膜的主要部分的截面图。
图6是沿图4中的点划线Y-Y′的掩膜的主要部分的截面图。
图7是用于说明图1的固体摄像装置的制造方法的图,是示出曝光滤色器层上的树脂层的步骤的、与图1相当的俯视图。
图8是沿图7中的点划线X-X′的装置的主要部分的截面图。
图9是沿图7中的点划线Y-Y′的装置的主要部分的截面图。
图10是用于说明图1的固体摄像装置的制造方法的图,是示出显影树脂层的步骤的、与图1相当的俯视图。
图11是沿图10中的点划线X-X′的装置的主要部分的截面图。
图12是沿图10中的点划线Y-Y′的装置的主要部分的截面图。
图13是用于说明图1的固体摄像装置的制造方法的图,是示出形成微透镜的步骤的、与图1相当的俯视图。
图14是沿图13中的点划线X-X′的装置的主要部分的截面图。
图15是沿图13中的点划线Y-Y′的装置的主要部分的截面图。
图16是示出由根据第二实施例的固体摄像装置的制造方法制造的固体摄像装置的主要部分的俯视图。
图17是沿图16中的点划线X-X′的装置的主要部分的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的