[发明专利]纳米线结构的制备方法有效
| 申请号： | 201110106336.2 | 申请日： | 2011-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102229421A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;朱伦;胡成;朱志炜;张世理;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米线结构的制备方法，该方法通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线，由于本发明提供的纳米线结构的制备方法不需要利用高分辨率的光刻技术来形成纳米线，因而大大节约了制备成本，并且本发明制备的金属半导体化合物纳米线还可以作为掩模，将其纳米结构图形转移到下一层结构，从而为纳米线结构的制备提供了方便。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述纳米线结构为金属半导体化合物纳米线，该方法包括如下步骤：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上依次形成介质层、多晶半导体层以及绝缘层；依次对所述绝缘层以及所述多晶半导体层进行刻蚀，去掉两侧的绝缘层以及多晶半导体层；在所述多晶半导体层两侧的侧壁上沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层扩散；去除所述多晶半导体层侧壁表面剩余的金属薄膜；对所述多晶半导体层进行退火，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线。
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