[发明专利]纳米线结构的制备方法

权利要求书

1.一种纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述纳米线结构为金属半导体化合物纳米线，该方法包括如下步骤：

提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上依次形成介质层、多晶半导体层以及绝缘层；

依次对所述绝缘层以及所述多晶半导体层进行刻蚀，去掉两侧的绝缘层以及多晶半导体层；

在所述多晶半导体层两侧的侧壁上沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层扩散；

去除所述多晶半导体层侧壁表面剩余的金属薄膜；

对所述多晶半导体层进行退火，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线。

2.如权利要求1所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，该方法在形成金属半导体化合物纳米线之后，还包括去除所述绝缘层及所述多晶半导体层的步骤。

3.如权利要求2所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜是通过PVD法沉积在所述多晶半导体层两侧的侧壁上的。

4.如权利要求3所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，在所述PVD法沉积金属薄膜的过程中，将靶材部分离化成离子状态，使其产生金属离子，并在所述多晶半导体层上加第一偏压。

5.如权利要求4所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述将靶材部分离化成离子状态是通过在所述靶材上加第二偏压实现的。

6.如权利要求5所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述第一偏压为直流偏压、交流偏压或脉冲偏压中的任一种。

7.如权利要求5所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述第二偏压为直流偏压、交流偏压或脉冲偏压中的任一种。

8.如权利要求4所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述金属半导体化合物纳米线的宽度为2～11nm，其高度为10～20nm。

9.如权利要求1所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述多晶半导体层为多晶硅层，所述金属半导体化合物纳米线为金属硅化物纳米线。

10.如权利要求1所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述多晶半导体层为多晶锗层，所述金属半导体化合物纳米线为金属锗化物纳米线。

11.如权利要求9或10所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述金属半导体化合物纳米线由金属与所述多晶半导体层反应生成，其中，所述金属为镍、钴、钛、镱中的任一种，或镍、钴、钛、镱中的任一种并掺入铂。

12.如权利要求11所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述金属中还掺入了钨和/或钼。

13.如权利要求1所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，在所述多晶半导体层两侧的侧壁上沉积金属薄膜时的衬底温度为0～300℃。

14.如权利要求1所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为200～900℃。

15.如权利要求1所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，所述介质层为二氧化硅、氮化硅或高K介质层中的任一种。

16.如权利要求2所述的纳米线结构的制备方法，其特征在于，该方法还包括以所述金属半导体化合物纳米线为掩模，将所述金属半导体化合物纳米线图形转移到下一层结构的步骤。