[发明专利]发光二极管阵列有效
| 申请号： | 201110102886.7 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102760745A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 周理评;杨於铮;叶瑞鸿 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管阵列，该发光二极管阵列由N个(N≥3)发光二极管单元所组成，包括：永久基板；粘结层位于永久基板之上；第二导电层位于粘结层之上；第二分隔层位于第二导电层之上；跨接金属层位于第二分隔层之上；第一分隔层位于跨接金属层之上；导电性连接层位于第一分隔层之上；外延结构位于导电性连接层之上；第一电极位于外延结构之上。发光二极管单元间经跨接金属层彼此电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 阵列 | ||
【主权项】：
发光二极管阵列，具有第一区域、第三区域及第二区域，包括：永久基板；粘结层，位于该永久基板之上；第二导电层，位于该粘结层之上；第二分隔层，位于该第二导电层之上；跨接金属层，位于该第二分隔层之上；第一分隔层，位于该跨接金属层之上；导电性连接层，位于该第三区域以外的该第一分隔层之上；外延结构，位于该导电性连接层之上，包括：第二导电型半导体层；活性层，位于该第二导电型半导体层之上；及第一导电型半导体层，位于该活性层之上；及第一电极，位于该外延结构之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
