[发明专利]发光二极管阵列

权利要求书

1.发光二极管阵列，具有第一区域、第三区域及第二区域，包括：

永久基板；

粘结层，位于该永久基板之上；

第二导电层，位于该粘结层之上；

第二分隔层，位于该第二导电层之上；

跨接金属层，位于该第二分隔层之上；

第一分隔层，位于该跨接金属层之上；

导电性连接层，位于该第三区域以外的该第一分隔层之上；

外延结构，位于该导电性连接层之上，包括：

第二导电型半导体层；

活性层，位于该第二导电型半导体层之上；及

第一导电型半导体层，位于该活性层之上；及

第一电极，位于该外延结构之上。

2.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中除该第三区域外，还包括多个由该第二导电型半导体层延伸至该第一导电型半导体层的沟槽。

3.如权利要求2所述的发光二极管阵列，其中该第一分隔层位于该多个沟槽的侧壁，且该跨接金属层延伸至该多个沟槽之中。

4.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中该导电性连接层于该第三区域中位于部分该跨接金属层与该外延结构之间；且该导电性连接层于该第一区域中位于部分该第二导电层与该外延结构之间。

5.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中还包括导电区，该导电区位于该第二区域的该导电性连接层之上，且未被该第一分隔层覆盖。

6.发光二极管阵列，具有第一区域、第三区域及第二区域，包括：

永久基板；

粘结层，位于该永久基板之上；

第一导电层，位于该粘结层之上；

第二分隔层，位于该第一导电层之上；

跨接金属层，位于该第三区域以外的该第二分隔层之上；

第一分隔层，位于该跨接金属层之上；

导电性连接层，位于该第一分隔层之上；及

外延结构，位于该导电性连接层之上，包括：

第二导电型半导体层；

活性层，位于该第二导电型半导体层之上；及

第一导电型半导体层，位于该活性层之上。

7.如权利要求1或6所述的发光二极管阵列，其中该阵列还包括第一发光二极管单元、第二发光二极管单元......依序至第(N-1)发光二极管单元、及第N发光二极管单元；其中N≥3，且该第一发光二极管单元位于该第一区域，该第N发光二极管单元位于该第三区域，该第二发光二极管单元......依序至该第(N-1)发光二极管单元位于该第二区域，其中该第二区域位于该第一区域与该第三区域之间。

8.如权利要求6所述的发光二极管阵列，其中还包括多个由该第二导电型半导体层延伸至该第一导电型半导体层的沟槽。

9.如权利要求8所述的发光二极管阵列，其中该第一分隔层位于该多个沟槽的侧壁。

10.如权利要求8所述的发光二极管阵列，其中该第一导电层延伸至该第三区域的该多个沟槽之中，且该跨接金属层延伸至该第一区域及该第二区域的该多个沟槽之中。

11.如权利要求7所述的发光二极管阵列，还包括多个走道，该多个走道位于该N个发光二极管单元之间，且该N个发光二极管单元间经该跨接金属层彼此串联电性连接。

12.如权利要求1或6所述的发光二极管阵列，其中该外延结构还包括粗化表面。

13.如权利要求6所述的发光二极管阵列，其中于该第一区域中还包括平坦区域，其为由该第一导电型半导体层向下蚀刻至暴露出该导电性连接层而成；且还包括第二电极位于该平坦区域之上。

14.如权利要求6所述的发光二极管阵列，其中该导电性连接层于该第一区域及该第二区域中位于部分该第一分隔层与该外延结构之间；且该导电性连接层于该第三区域中位于部分该跨接金属层与该外延结构之间。

15.如权利要求4或14所述的发光二极管阵列，其中该导电性连接层包括一种或一种以上的材料，选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝以及氧化锌锡所构成的群组。