[发明专利]发光二极管阵列

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管阵列，特别是涉及一种由N个(N≥3)发光二极管单元所组成发光二极管阵列。

背景技术

近年来，由于外延与工艺技术的进步，使发光二极管(light emitting diode，简称LED)成为极具潜力的固态照明光源之一。由于物理机制的限制，LED仅能以直流电驱动，因此，任何以LED作为光源的照明设计中，都需要搭配整流及降压等电子元件，以将电力公司直接提供的交流电转换为LED可使用的直流电源。然而增加整流及降压等电子元件，除造成照明成本的增加外，整流及降压等电子元件的低交流直流转换效率、偏大的体积等均会影响LED使用于日常照明应用时的可靠度与使用寿命。

发明内容

发光二极管阵列包括：永久基板；粘结层位于永久基板之上；第二导电层位于粘结层之上；第二分隔层位于第二导电层之上；跨接金属层位于第二分隔层之上；第一分隔层位于跨接金属层之上；导电性连接层位于第一分隔层之上；外延结构位于导电性连接层之上；及第一电极位于外延结构之上。

发光二极管阵列包括：永久基板；粘结层位于永久基板之上；第一导电层位于粘结层之上；第二分隔层位于第一导电层之上；跨接金属层位于第二分隔层之上；第一分隔层位于跨接金属层之上；导电性连接层位于第一分隔层之上；及外延结构位于导电性连接层之上。

发光二极管阵列，包括N个发光二极管单元(N≥3)，且发光二极管单元间经跨接金属层彼此电性连接。

附图说明

图1A-1I为本发明所揭示的发光二极管阵列1的结构剖面示意图。

图1A’-1G’为本发明所揭示的发光二极管阵列1的结构俯视示意图。

图2A-2I为本发明所揭示的发光二极管阵列2的结构剖面示意图。

图2A’-2G’为本发明所揭示的发光二极管阵列2的结构俯视示意图。

附图标记说明

1，2：发光二极管阵列

11：生长基板

12：第一导电型半导体层

13：活性层

14：第二导电型半导体层

15：沟槽

16：平台

17：导电性连接层

18：走道

19：第一分隔层

20：导电区

21：跨接金属层

22：第二分隔层

23：第二导电层

24：粘结层

25：永久基板

26：第一导电层

27：第一电极

28：第二电极

I：第一区域

II：第二区域

III：第三区域

a，b：电性隔绝区域

具体实施方式

本发明揭示由N(N≥3)个发光二极管单元所组成的发光二极管阵列，其中包括第一发光二极管单元、第二发光二极管单元......依序至第(N-1)发光二极管单元及第N发光二极管单元。又发光二极管阵列具有第一区域(I)、第三区域(III)，其中第一区域(I)包括第一发光二极管单元，第三区域(III)包括第N发光二极管单元；及第二区域(II)位于第一区域(I)与第三区域(III)之间，且包括第二发光二极管单元......依序至第(N-1)发光二极管单元。

实施例一所揭示为由3个发光二极管单元所组成发光二极管阵列1。其结构剖面示意图如图1A-1I所示，结构俯视示意图如图1A’-1G’所示。发光二极管阵列1的制造方法，包括以下步骤：

1.提供生长基板11，且形成外延结构于生长基板11之上，其中外延结构包括第一导电型半导体层12，活性层13，及第二导电型半导体层14，如图1A及图1A’所示。

2.接着蚀刻第一区域(I)、第二区域(II)的部分外延结构以形成多个沟槽15，其中未被蚀刻的外延结构则形成多个平台16；且第三区域(III)的外延结构未被蚀刻，如图1B及图1B’所示。

3.再于多个平台16的部分区域之上形成导电性连接层17，其中未被导电性连接层17覆盖的平台区域则形成多个走道18；如图1C及图1C’所示。

4.于部分导电性连接层17之上、多个走道18之上、及多个沟槽15的侧壁形成第一分隔层19，但于第一区域(I)的部分导电性连接层17之上及第三区域(III)的全部导电性连接层17之上未被第一分隔层19所覆盖。导电区20为第二区域(II)的导电性连接层17之上未被第一分隔层19覆盖的区域。如图1D及图1D’所示。