[发明专利]一种氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法无效
| 申请号： | 201110102654.1 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102145917A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 阙文修;廖宇龙;申凤宇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C01G23/047 | 分类号： | C01G23/047;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法，采用水基溶液浸泡氧化钛纳米管，阳极氧化的方法制备无定型态氧化钛纳米管先驱物，实现了无定型态氧化钛纳米管低温结晶。晶化之后的氧化钛纳米管结晶性能良好，在光催化和太阳能光伏器件等方面有着广泛的应用前景。本发明与传统的高温煅烧结晶工艺相比，具有简单、节能和环保的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 纳米 阵列 管粉体 低温 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法，其特征在于：1)首先，采用阳极氧化金属钛片的方法，得到无定型态氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体；2)然后，将得到的无定型态氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体浸泡在水基溶液中，并加热到60℃‑200℃保温1‑50小时；3)最后，将步骤2)的混合液分离得样品，将分离出的样品经过去离子水清洗后在低于100℃下烘干，即得晶化氧化钛纳米管阵列或晶化氧化钛纳米管粉体。
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