[发明专利]一种氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法无效
| 申请号： | 201110102654.1 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102145917A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 阙文修;廖宇龙;申凤宇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C01G23/047 | 分类号： | C01G23/047;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 纳米 阵列 管粉体 低温 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法，其特征在于：
1)首先，采用阳极氧化金属钛片的方法，得到无定型态氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体；
2)然后，将得到的无定型态氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体浸泡在水基溶液中，并加热到60℃-200℃保温1-50小时；
3)最后，将步骤2)的混合液分离得样品，将分离出的样品经过去离子水清洗后在低于100℃下烘干，即得晶化氧化钛纳米管阵列或晶化氧化钛纳米管粉体。
2.根据权利要求1所述的无定型态氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法，其特征在于：所述的水基溶液为纯水、质量浓度为0.1-5.0％的盐酸水溶液或质量浓度为0.1-5.0％的氢氧化钠水溶液。
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