[发明专利]多位单元非易失性内存的写入方法有效
| 申请号： | 201110100266.X | 申请日： | 2011-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102693754A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 黄汉龙;周铭宏 | 申请（专利权）人： | 擎泰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种多位单元非易失性内存的写入方法。在一实施例中，读取非易失性内存的目前字线，以得到最高有效位页的第一数据，其中目前字线位于先前字线后，该目前字线读取成功且该先前字线读取失败。设定至少一参考电压。依该参考电压，以第二数据进行目前字线的最高有效位页的二次写入，其中第二数据不同于第一数据。借此在前字线中成功读取正确的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 非易失性 内存 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于包含：读取一目前字线以得到一最高有效位页的第一数据，其中该目前字线位于至少一先前字线之后，该目前字线读取成功且该先前字线读取失败；设定至少一参考电压；及依该参考电压，以一第二数据进行该目前字线的最高有效位页的二次写入，其中该第二数据不同于该第一数据。
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