[发明专利]多位单元非易失性内存的写入方法

权利要求书

1.一种多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于包含：

读取一目前字线以得到一最高有效位页的第一数据，其中该目前字线位于至少一先前字线之后，该目前字线读取成功且该先前字线读取失败；

设定至少一参考电压；及

依该参考电压，以一第二数据进行该目前字线的最高有效位页的二次写入，其中该第二数据不同于该第一数据。

2.如权利要求1所述的多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于该第二数据反相于该第一数据。

3.如权利要求1所述的多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于该参考电压为一预验证电压。

4.如权利要求1所述的多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于在该二次写入步骤之后，更包含一步骤，用以重读该先前字线。

5.如权利要求4所述的多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于重读该先前字线的步骤之前，更包含一步骤，用以重置该参考电压，其中该参考电压被重置为该设定步骤之前的状态。

6.如权利要求1所述的多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于该目前字线与该先前字线互为相邻。

7.如权利要求4所述的多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于该至少一先前字线包含多个先前字线，对于每一条先前字线及其相邻后续字线，由后往前依序执行该设定步骤、该二次写入步骤及该重读步骤。

8.一种多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于包含：

读取一目前字线，其中该目前字线读取失败；及

第一次写入至少一相邻字线的位页，其中该相邻字线相邻于该目前字线。

9.如权利要求8所述的多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于第一次写入该至少一相邻字线的位页的步骤前，更包含一步骤，其读取以得到该至少一相邻字线的已写入位页的一第一数据，其中该第一数据不同于该相邻字线所第一次写入的数据。

10.如权利要求9所述的多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于该相邻字线的位页所第一次写入的数据反相于该第一数据。

11.如权利要求8所述的多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于该相邻字线的位页所第一次写入的数据为随机数据、均匀分布数据或相同数据。

12.一种多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于包含：

读取以得到至少一相邻字线的最高有效位页的一第一数据，其中该相邻字线相邻于一读取失败的目前字线；及

以一第二数据进行该至少一相邻字线的最高有效位页的二次写入，其中该第二数据不同于该第一数据。

13.如权利要求12所述的多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于当该目前字线不是该非易失性内存的实体区块的最后一条字线，则该相邻字线位于该目前字线之后；当该目前字线是该非易失性内存的实体区块的最后一条字线，则该相邻字线位于该目前字线之前。

14.如权利要求12所述的多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于该第二数据反相于该第一数据。

15.如权利要求12所述的多位单元非易失性内存的写入方法，其特征在于该第二数据为随机数据、均匀分布数据或相同数据。