[发明专利]多位单元非易失性内存的写入方法

说明书

技术领域

本发明是有关非易失性内存，特别是关于一种多位单元(multi-bit percell)非易失性内存的写入(program)方法，用以改善耦合效应。

背景技术

闪存为一种非易失性固态内存组件，其可以电气方式进行抹除及写入。传统闪存可在每一记忆单元内储存单一位的信息，因而每一记忆单元具有二可能状态。此种传统闪存因此称为单位元单元(single-bit per cell)闪存。现今闪存可在每一记忆单元内储存二或多位的信息，因而每一记忆单元具有二个以上的可能状态。此种闪存因此称为多位单元(multi-bit percell)闪存。

在多位单元闪存中，借由储存相异电荷于浮接栅极(floating gate)中，因而得以写入不同状态数据至快闪记体中。由于浮接栅极的电荷即决定相对应的临界(threshold)电压，因此数据可根据其相异的临界电压而自多位单元闪存读取出来。由于记忆单元间具有工艺或操作方面的差异性，因此每一状态的临界电压并非是固定值，而是由一电压范围来定义。

然而，传统多位单元闪存，特别是三(或更多)位单元闪存，极易受到浮接栅极耦合效应及滞留(retention)效应的影响。由于容易因狭窄的读取边限(read margin)而造成读取错误，因此，亟需提出一些新颖的机制，用以改善浮接栅极耦合效应。

由此可见，上述现有的闪存在方法及使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。因此如何能创设一种新的多位单元非易失性内存的写入方法，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的闪存存在的缺陷，而提供一种新的多位单元非易失性内存的写入方法，所要解决的技术问题是使其用以改善耦合效应，增加读取边限以降低取读错误，非常适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种多位单元非易失性内存的写入方法，包含：读取一目前字线以得到一最高有效位页的第一数据，其中该目前字线位于至少一先前字线之后，该目前字线读取成功且该先前字线读取失败；设定至少一参考电压；及依该参考电压，以一第二数据进行该目前字线的最高有效位页的二次写入，其中该第二数据不同于该第一数据。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的多位单元非易失性内存的写入方法，其中所述的该第二数据反相于该第一数据。

前述的多位单元非易失性内存的写入方法，其中所述的该参考电压为一预验证电压。

前述的多位单元非易失性内存的写入方法，其中所述的在该二次写入步骤之后，更包含一步骤，用以重读该先前字线。

前述的多位单元非易失性内存的写入方法，其中所述的重读该先前字线的步骤之前，更包含一步骤，用以重置该参考电压，其中该参考电压被重置为该设定步骤之前的状态。

前述的多位单元非易失性内存的写入方法，其中所述的该目前字线与该先前字线互为相邻。

前述的多位单元非易失性内存的写入方法，其中所述的该至少一先前字线包含多个先前字线，对于每一条先前字线及其相邻后续字线，由后往前依序执行该设定步骤、该二次写入步骤及该重读步骤。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种多位单元非易失性内存的写入方法，包含：读取一目前字线，其中该目前字线读取失败；及第一次写入至少一相邻字线的位页，其中该相邻字线相邻于该目前字线。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的多位单元非易失性内存的写入方法，其中所述的第一次写入该至少一相邻字线的位页的步骤前，更包含一步骤，其读取以得到该至少一相邻字线的已写入位页的一第一数据，其中该第一数据不同于该相邻字线所第一次写入的数据。

前述的多位单元非易失性内存的写入方法，其中所述的该相邻字线的位页所第一次写入的数据反相于该第一数据。

前述的多位单元非易失性内存的写入方法，其中所述的该相邻字线的位页所第一次写入的数据为随机数据、均匀分布数据或相同数据。

本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种多位单元非易失性内存的写入方法，包含：读取以得到至少一相邻字线的最高有效位页的一第一数据，其中该相邻字线相邻于一读取失败的目前字线；及以一第二数据进行该至少一相邻字线的最高有效位页的二次写入，其中该第二数据不同于该第一数据。