[发明专利]一种制备单层石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201110096201.2 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102134067A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;戴博雅;付磊 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备单层石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：1)制备合金基底；2)在氢气和惰性气氛中，通入利用化学气相沉积方法在所述步骤1)所得合金基底表面催化生长石墨烯，完成所述单层石墨烯的制备。该方法利用合金基底中两种或以上不同合金金属的特性，实现了对碳源的分解、扩散和析出过程的控制，简单、高效地约束了溶解于金属基底中碳的析出过程，使得石墨烯能够以表面催化的形式生长，获得了层数分布均一的单层石墨烯，特别适合应用于工业化生产，尤其适用于单层或少层石墨烯的可控制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 单层 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种制备单层石墨烯的方法，包括如下步骤：1)制备合金基底；2)在氢气和惰性气氛中，通入碳源利用化学气相沉积方法在所述步骤1)所得合金基底表面催化生长石墨烯，完成所述单层石墨烯的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110096201.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
