[发明专利]一种半导体处理装置

摘要

本发明揭露了一种半导体处理装置，所述半导体处理装置包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和所述下腔室部中的一个可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，所述半导体处理装置采用了改进的立柱装置、下腔室部和提供一平衡校正装置，实现了耐腐蚀、易维护和使用、化学处理液泄露回收机制和平整性校正等。

主权项

一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和所述下腔室部中的一个可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，所述立柱装置包括立柱和套接在所述立柱外表面的套筒，当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口，所述下腔室部包括形成所述下工作表面和/或下周边部分的下腔室板和容纳所述下腔室板的下盒装置，所述下盒装置包含侧面开口的无盖空腔，所述下腔室板从所述侧面开口滑动进入或者移出所述无盖空腔，所述无盖空腔的下表面形成有导流凹槽，所述导流凹槽的出口位于所述下盒装置的下部或者侧面开口处，同时包括一平整校正装置，提供指向微腔室内部的压力于不可以移动的腔室部，使得该腔室部的工作表面的各部分与半导体晶圆之间的空隙符合预定宽度。