[发明专利]一种半导体处理装置

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及一种用于化学处理半导体晶圆表面，以及清洁、蚀刻及其它处理的装置。

【背景技术】

晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产中需要制备的晶圆具有平整、超清洁的表面，而用于制备超清洁晶圆表面的现有方法可分为两种类别：诸如浸没与喷射技术的湿法处理过程，及诸如基于化学气相与等离子技术的干法处理过程。其中湿法处理过程是现有技术采用较为广泛的方法，湿法处理过程通常包括采用适当化学溶液浸没或喷射晶圆之一连串步骤组成。

现有技术中包含一种采用湿法处理过程对晶圆进行超清洁处理的装置。该装置中形成有一可以紧密接收并处理半导体晶圆的微腔室，该微腔室可处于打开状态以供装载与移除半导体晶圆，也可处于关闭状态以用于半导体晶圆的处理，其中处理过程中可将化学制剂及其他流体引入所述微腔室。所述打开状态和关闭状态由该装置中包含的两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个工作面的相对移动来实现。

但是在实际使用中发现，上述装置还存在以下缺点：第一，所述装置中的由两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个工作面的结构较为复杂，若采用一个驱动装置驱动所述微腔室的上工作面或者下工作面也可以达到同样效果；第二，对于不同尺寸的半导体晶圆，处理时需要更换相应的不同尺寸的微腔室组件，更换该微腔室组件时需要将整台机器拆开，十分不方便；第三，当微腔室密封不严或者流通化学制剂的管道发生化学制剂泄露时，所述装置中相关的泄露收集机制不够完善；第四，所述上、下两个工作面发生相对移动时依靠贯穿所述上、下两个工作表面的若干根金属立柱完成，所述立柱容易被化学处理过程中产生的高温和/或腐蚀性的气体所腐蚀而损坏，而且现有的套接在所述立柱上的上下工作面的各个组件是相互焊接在一起的，无法单独拆卸，拆装不便。

因此有必要提供一种新的解决方案来解决上述问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种半导体处理装置，所述半导体处理装置具有更为简单的驱动结构、可以更简单地更换微腔室组件，具有可有效收集泄露化学制剂的结构和具有可更换、耐腐蚀和耐高温的立柱装置。

根据本发明的目的，本发明提供一种半导体处理装置，所述半导体处理装置包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和所述下腔室部中的一个可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，所述立柱装置包括立柱和套接在所述立柱外表面的套筒，

当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口，

所述下腔室部包括形成所述下工作表面和/或下周边部分的下腔室板和容纳所述下腔室板的下盒装置，所述下盒装置包含侧面开口的无盖空腔，所述下腔室板从所述侧面开口滑动进入或者移出所述无盖空腔，所述无盖空腔的下表面形成有导流凹槽，所述导流凹槽的出口位于所述下盒装置的下部或者侧面开口处，

同时包括一平整校正装置，提供指向微腔室内部的压力于不可以移动的腔室部，使得该腔室部的工作表面的各部分与半导体晶圆之间的空隙符合预定宽度。

进一步地，所述套筒的内表面紧密贴合于所述立柱的外表面套接，所述立柱包括圆柱形柱体，所述套筒的内表面为对应于所述圆柱形柱体的圆形筒壁，所述柱位孔的形状与所述套筒的横截面外围所吻合。

进一步地，所述圆柱形柱体采用金属或者合金制造，所述套筒采用塑料制造。

进一步地，所述下腔室板包含一吻合与所述无盖空腔形状的下部和位于所述下部之上的上部，所述上部的上表面形成所述微腔室的下工作表面和/或下周边部分。

进一步地，所述无盖空腔的侧面形成有开口，且所述无盖空腔对应于所述下腔室板的下部的边缘形成有凹槽，所述下腔室板从所述侧面开口沿所述凹槽滑动进入或者移出所述无盖空腔。

进一步地，所述半导体处理装置还包括一插件，所述插件的形状符合所述侧面开口的形状，当所述下腔室板装载进入所述无盖空腔后，通过将所述插件插入所述侧面开口固定所述下腔室板在所述无盖空腔内。