[发明专利]一种半导体处理装置有效
申请号: | 201110094233.9 | 申请日: | 2011-04-15 |
公开(公告)号: | CN102737955A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 温子瑛;马彦圣 | 申请(专利权)人: | 无锡华瑛微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67;C30B33/00 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 王爱伟 |
地址: | 214135 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 处理 装置 | ||
1.一种半导体处理装置,其特征在于,其包括:
包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室,所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部,所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔,所述上腔室部和所述下腔室部中的一个可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动,所述立柱装置包括立柱和套接在所述立柱外表面的套筒,
当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时,半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间,且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙,所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口,
所述下腔室部包括形成所述下工作表面和/或下周边部分的下腔室板和容纳所述下腔室板的下盒装置,所述下盒装置包含侧面开口的无盖空腔,所述下腔室板从所述侧面开口滑动进入或者移出所述无盖空腔,所述无盖空腔的下表面形成有导流凹槽,所述导流凹槽的出口位于所述下盒装置的下部或者侧面开口处,
同时包括一平整校正装置,提供指向微腔室内部的压力于不可以移动的腔室部,使得该腔室部的工作表面的各部分与半导体晶圆之间的空隙符合预定宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体处理装置,其特征在于,所述套筒的内表面紧密贴合于所述立柱的外表面套接,所述立柱包括圆柱形柱体,所述套筒的内表面为对应于所述圆柱形柱体的圆形筒壁,所述柱位孔的形状与所述套筒的横截面外围所吻合。
3.根据权利要求2所述的半导体处理装置,其特征在于,所述圆柱形柱体采用金属或者合金制造,所述套筒采用塑料制造。
4.根据权利要求1所述的半导体处理装置,其特征在于,所述下腔室板包含一吻合与所述无盖空腔形状的下部和位于所述下部之上的上部,所述上部的上表面形成所述微腔室的下工作表面和/或下周边部分。
5.根据权利要求4所述的半导体处理装置,其特征在于,所述无盖空腔的侧面形成有开口,且所述无盖空腔对应于所述下腔室板的下部的边缘形成有凹槽,所述下腔室板从所述侧面开口沿所述凹槽滑动进入或者移出所述无盖空腔。
6.根据权利要求5所述的半导体处理装置,其特征在于,所述半导体处理装置还包括一插件,所述插件的形状符合所述侧面开口的形状,当所述下腔室板装载进入所述无盖空腔后,通过将所述插件插入所述侧面开口固定所述下腔室板在所述无盖空腔内。
7.根据权利要求1所述的半导体处理装置,其特征在于,所述导流凹槽包括排布在所述无盖空腔的下表面的若干个倾斜角度和倾斜方式相同、互相并列的斜坡面,所述斜坡面的坡底位于所述侧面开口处。
8.根据权利要求1所述的半导体处理装置,其特征在于,所述不可以移动的腔室部包括一工作表面和与工作表面平行的受力面,所述工作表面和受力面之间包含有刚性材料,所述平整校正装置包括与不可移动腔室的受力面紧密贴合的校正板,在校正板的局部形成有可紧固校正板使校正板的一面与所述受力面紧密贴合的压力装置。
9.根据权利要求8所述的半导体处理装置,其特征在于,所述压力装置包括在所述校正板的四角形成的可紧固校正板使校正板与所述受力面紧密贴合的螺纹装置。
10.根据权利要求9所述的半导体处理装置,其特征在于,所述平整校正装置还包括相对于所述校正板平行、且与所述校正板部分固定的顶板,在所述顶板的非固定区域形成有若干不同位置的螺纹穿孔,对应于所述螺纹穿孔的螺丝可旋入所述螺纹穿孔而提供压力于所述校正板的另一面,所述压力的方向和大小依所述螺丝旋入的位置和长度不同而不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造