[发明专利]发光二极管磊晶结构及制造方法无效
| 申请号： | 201110091859.4 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102738332A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;凃博闵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管磊晶结构，其包括基板，依次形成在该基板上的氮化物半导体层、N型半导体接触层、活性层、P型半导体接触层。该氮化物半导体层具有一个远离该基板的上表面。该发光二极管磊晶结构进一步包括设置在该氮化物半导体层的上表面上的图案化氧化物全反射多层膜。该N型半导体接触层覆盖该氧化物全反射多层膜以及该氮化物半导体层的未被该氧化物全反射多层膜覆盖的上表面。本发明还涉及一种发光二极管磊晶结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管磊晶结构，其包括基板，依次形成在该基板上的氮化物半导体层、N型半导体接触层、活性层、P型半导体接触层，其特征在于：该氮化物半导体层具有一个远离该基板的上表面，该发光二极管磊晶结构进一步包括设置在该氮化物半导体层的上表面上的图案化氧化物全反射多层膜，该N型半导体接触层覆盖该氧化物全反射多层膜以及该氮化物半导体层的未被该氧化物全反射多层膜覆盖的上表面。
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