[发明专利]发光二极管磊晶结构及制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管磊晶结构，其包括基板，依次形成在该基板上的氮化物半导体层、N型半导体接触层、活性层、P型半导体接触层，其特征在于：该氮化物半导体层具有一个远离该基板的上表面，该发光二极管磊晶结构进一步包括设置在该氮化物半导体层的上表面上的图案化氧化物全反射多层膜，该N型半导体接触层覆盖该氧化物全反射多层膜以及该氮化物半导体层的未被该氧化物全反射多层膜覆盖的上表面。

2.如权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该氧化物全反射多层膜包括二氧化硅层与五氧化钽层。

3.如权利要求2所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该氧化物全反射多层膜包括的二氧化硅层与五氧化钽层周期交替排列。

4.如权利要求2所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该二氧化硅层的厚度                                               与该发光二极管磊晶结构的发光波长的关系为：

其中，为二氧化硅的折射系数。

5.如权利要求2所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该五氧化钽层的厚度与该发光二极管磊晶结构的发光波长的关系为：

其中，为五氧化钽的折射系数。

6.如权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该氧化物全反射多层膜为多个互不相连的独立图形。

7.如权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该氧化物全反射多层膜为一个相互连贯的图形。

8.一种发光二极管磊晶结构的制造方法，包括：

提供一个基板；

在该基板上形成一个氮化物半导体层，该氮化物半导体层具有一个远离该基板的上表面；

在该氮化物半导体层的上表面上形成氧化物全反射多层膜；

图案化该氧化物全反射多层膜，以暴露出该氧化物半导体层的部分上表面；

在该氧化物全反射多层膜以及暴露在外的该氮化物半导体层的上表面上形成N型半导体接触层；

在该N型半导体接触层上形成活性层；

在该活性层上形成P型半导体接触层。

9.如权利要求8所述的发光二极管磊晶结构的制造方法，其特征在于，该氧化物全反射多层膜包括周期交替排列的二氧化硅层与五氧化钽层。

10.如权利要求8所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该氧化物全反射多层膜为多个互不相连的独立图形。

11.如权利要求8所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该氧化物全反射多层膜为一个相互连贯的图形。