[发明专利]发光二极管磊晶结构及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种磊晶结构，尤其涉及一种发光二极管磊晶结构及制造方法。

背景技术

一般的半导体磊晶结构，如发光二极管磊晶结构，包括依次成长在基板上的第一型半导体层，活性层与第二型半导体层。然而上述结构存在以下问题：半导体发光结构所发出的朝向基板一侧的光线在进入基板后，会被基板所吸收而转化成热能，从而降低发光二极管晶粒的出光效率。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种具有较高出光效率的发光二极管磊晶结构及其制作方法。

一种发光二极管磊晶结构，其包括基板，依次形成在该基板上的氮化物半导体层、N型半导体接触层、活性层、P型半导体接触层。该氮化物半导体层具有一个远离该基板的上表面。该发光二极管磊晶结构进一步包括设置在该氮化物半导体层的上表面上的图案化氧化物全反射多层膜。该N型半导体接触层覆盖该氧化物全反射多层膜以及该氮化物半导体层的未被该氧化物全反射多层膜覆盖的上表面。

一种发光二极管磊晶结构的制造方法，其包括：提供一个基板；在该基板上形成一个氮化物半导体层，该氮化物半导体层具有一个远离该基板的上表面；在该氮化物半导体层的上表面上形成氧化物全反射多层膜；图案化该氧化物全反射多层膜，以暴露出部分该氧化物半导体层的上表面；在该氧化物全反射多层膜以及暴露在外的该氮化物半导体层的上表面上形成N型半导体接触层；在该N型半导体接触层上形成活性层；在该活性层上形成P型半导体接触层，从而形成发光二极管磊晶结构。

该氧化物全反射多层膜可提高活性层发出的朝向基板的光线经全反射向上出射的几率，从而提高发光二极管磊晶结构的出光效率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的发光二极管磊晶结构的剖面示意图。

图2是图1中在氮化物半导体层上形成氧化物全反射多层膜的结构示意图。

图3是图案化图2中的氧化物全反射多层膜的结构示意图。

图4是图1中氧化物全反射多层膜包括的二氧化硅层与五氧化钽层交替排列的周期数为2的结构示意图。

图5是图1中氧化物全反射多层膜包括的二氧化硅层与五氧化钽层交替排列的周期数与该氧化物全反射多层膜的反射率的关系图。

图6是本发明实施例提供的发光二极管磊晶结构的制造方法的流程图。

主要元件符号说明