[发明专利]适于叠层半导体封装的半导体封装通过电极及半导体封装无效
| 申请号： | 201110085764.1 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102176439A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 徐敏硕 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/525;H01L23/00;H01L25/00;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭示一包括适合于一叠层半导体封装的通过电极以及一具有该电极的半导体封装。该半导体封装通过电极包括一具有凹槽部分的第一电极以穿过一半导体芯片。一第二电极配置于该第一电极的凹槽内。该半导体封装通过电极的第一电极包括一具有第一硬度的第一金属，该第二电极包括一具有低于第一硬度的第二硬度的第二金属。该通过电极穿过该半导体芯片体，并且可以由具有第一硬度和/或第一熔点的第一金属和具有低于第一硬度和/或第一熔点的第二硬度和/或第二熔点的第二金属形成。该通过电极能使数个半导体封装轻易地堆栈。 | ||
| 搜索关键词： | 适于 半导体 封装 通过 电极 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：一半导体芯片，具有包括一电路单元和一连接至该电路单元的焊垫的半导体芯片体；及一通过电极，具有在其中形成一凹槽部分的第一电极和一设置于该凹槽部分内的第二电极，其中该通过电极穿过该焊垫和与该焊垫对应的该半导体芯片体的区域。
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