[发明专利]适于叠层半导体封装的半导体封装通过电极及半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

一半导体芯片，具有包括一电路单元和一连接至该电路单元的焊垫的半导体芯片体；及

一通过电极，具有在其中形成一凹槽部分的第一电极和一设置于该凹槽部分内的第二电极，

其中该通过电极穿过该焊垫和与该焊垫对应的该半导体芯片体的区域。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其中该第一电极包括一具有第一硬度的第一金属，第二电极包括一具有低于该第一硬度的第二硬度的第二金属。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其中该第一电极包括一具有第一熔点的第一金属，第二电极包括一具有低于该第一熔点的第二熔点的第二金属。

4.如权利要求1所述的半导体封装，

其中该第一电极包括：铜、铝、铝合金及金属合金其中任意一者，

其中该第二电极包括一焊料。

5.如权利要求1所述的半导体封装，其中该第一电极的长度大于该半导体芯片体的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体封装，其中该第一电极呈管状，并且在该半导体芯片的第一表面处开放，在该半导体芯片的第二表面处封闭，其中该第一电极电性连接至在该开放端的焊垫。

7.如权利要求6所述的半导体封装，其中该第一电极具有一延伸该开放端的第一延伸部，该第二电极具有一对应于该第一延伸部延伸该第二电极的第二延伸部。

8.如权利要求1所述的半导体封装，其中该焊垫设置在该半导体芯片体的顶面的中间部分。

9.如权利要求1所述的半导体封装，其中该焊垫设置在该半导体芯片体的表面的边缘。

10.如权利要求1所述的半导体封装，其中该半导体芯片还包括一于该半导体芯片体上形成的绝缘膜以覆盖该焊垫、第一电极及第二电极。

11.如权利要求10所述的半导体封装，其中该绝缘膜还包括一暴露出第二电极的孔口。

12.如权利要求1所述的半导体封装，其中该半导体芯片体还包括一用以修复该电路单元的熔断器和一用以覆盖并且使该熔断器绝缘的熔断器绝缘构件。

13.如权利要求1所述的半导体封装，还包括：

一基板，具有连接垫；

一焊料层，设置在该连接垫上；及

一底胶构件，设置于该基板和半导体芯片体之间，

其中该通过电极穿过该焊料层连接至该连接垫。

14.如权利要求13所述的半导体封装，还包括一虚拟芯片支撑构件，其设置于该基板和半导体芯片体之间以稳固地支撑该半导体芯片体。

15.如权利要求14所述的半导体封装，其中该虚拟芯片支撑构件包括一假焊料球、一假焊凸块及一封闭回路外型虚拟支撑构件其中任意一者。