[发明专利]具有PD器件层的SOC及其制造方法有效
| 申请号： | 201110084212.9 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102738181A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 王志玮;唐德明 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L27/144;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有PD器件层的SOC及其形成方法，包括半导体衬底，利用所述半导体衬底形成的半导体器件层，位于所述半导体器件层上层的至少一层局部/全局互连金属层，还包括：利用半导体材料在所述互连金属层上层形成的PD器件层，其克服了现有技术中在单一半导体衬底上构建单层半导体器件的技术缺陷，通过在利用半导体衬底形成的半导体器件层及互连金属层上层利用半导体材料再形成PD器件层，这样使得所述半导体器件层和PD器件层不是分布在同一半导体衬底层，而是形成了多层的三维结构，从而降低了SOC的成本，增强了其功能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 pd 器件 soc 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有PD器件层的SOC，包括半导体衬底，利用所述半导体衬底形成的半导体器件层，位于所述半导体器件层上层的至少一层局部/全局互连金属层，其特征在于，还包括：利用半导体材料在所述互连金属层上层形成的PD器件层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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