[发明专利]具有PD器件层的SOC及其制造方法有效

申请号：	201110084212.9	申请日：	2011-04-02
公开（公告）号：	CN102738181A	公开（公告）日：	2012-10-17
发明（设计）人：	王志玮;唐德明	申请（专利权）人：	上海丽恒光微电子科技有限公司
主分类号：	H01L27/14	分类号：	H01L27/14;H01L27/144;H01L21/82
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	骆苏华
地址：	201203 上海市浦东新区张江***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	具有 pd 器件 soc 及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种具有PD器件层的SOC，包括半导体衬底，利用所述半导体衬底形成的半导体器件层，位于所述半导体器件层上层的至少一层局部/全局互连金属层，其特征在于，还包括：

利用半导体材料在所述互连金属层上层形成的PD器件层。

2.根据权利要求1所述的SOC，其特征在于，所述PD器件层包括一层或多层PD器件，每一层PD器件包括一个或多个PD器件，每个PD器件包括P型半导体材料层和位于P型半导体材料层上的N型半导体材料层，所述P型半导体材料层还包括第一P型半导体材料层和第二P型半导体材料层，所述第一P型半导体材料层的P型离子浓度大于第二P型半导体材料层的P型离子浓度。

3.根据权利要求1所述的SOC，其特征在于，所述半导体材料为非晶硅、多晶硅、硅锗化合物或者锗或其组合中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的SOC，其特征在于，所述半导体器件层和所述PD器件层之间具有反射隔离层，用于隔离所述半导体器件层和所述PD器件层，以及向所述PD器件层反射光线。

5.根据权利要求1所述的SOC，其特征在于，在所述PD器件层上层具有MEMS器件层。

6.一种权利要求1所述的具有PD器件层的SOC的制造方法，包括：

形成半导体结构，包括半导体衬底，利用所述半导体衬底形成的半导体器件层，位于所述半导体器件层上层的至少一层局部/全局互连金属层；

其特征在于，还包括步骤：

利用半导体材料在所述互连金属层上层形成PD器件层。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述半导体材料为非晶硅、多晶硅、硅锗化合物或者锗或其组合中的任意一种。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述PD器件层的形成步骤包括：

在互连金属层上层形成第一P型半导体材料层；

在所述第一P型半导体材料层上形成第二P型半导体材料层，所述第一P型半导体材料层的P型离子浓度大于第二P型半导体材料层的P型离子浓度；

在所述第二P型半导体材料层上形成N型半导体材料层。