[发明专利]一种提高注塑成型PMMA微流控芯片热压键合率的方法有效
| 申请号: | 201110079543.3 | 申请日: | 2011-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN102190287A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
| 发明(设计)人: | 杜立群;常宏玲;付其达;刘冲 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
| 主分类号: | B81C3/00 | 分类号: | B81C3/00 |
| 代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 侯明远 |
| 地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | 一种提高注塑成型PMMA微流控芯片热压键合率的方法,属于微制造技术领域,特别涉及到提高微流控芯片热压键合质量的方法。其特征是,在热压键合前对芯片进行水处理,区别于传统的热压键合工艺流程“超声清洗——烘箱烘干——热压键合”,该方法采用“超声清洗——水处理——氮气吹干表面——热压键合”。本发明的效果和益处是克服了紫外线和MMA单体表面改性等处理方法存在的处理方法复杂、成本高、影响微流体系统使用性能等问题;该处理方法高效、成本低、不改变微流体系统性能、操作简单,在相同的热压键合工艺参数下,较之未经处理的芯片,有效键合面积明显增加,其键合率平均增加20%,有效的提高了芯片键合质量。 | ||
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【主权项】:
一种提高注塑成型PMMA微流控芯片热压键合率的方法,其特征是,在热压键合前对芯片进行水处理,其制作方法的具体步骤如下:a.注塑成型芯片盖片与基片:注塑机注塑成型带有储液池的PMMA微流控芯片盖片和带有微通道图形的芯片基片;b.激光切割:激光雕刻切割机激光切割芯片,得到一定合理尺寸的盖片和基片;c.超声清洗:超声清洗芯片3次,第1次:取华星DZ‑1号洗液与去离子水,按洗液∶去离子水=100∶2000ml比例配比,待水浴温度达到45℃后,将一定数量的盖片和基片超声清洗10min;第2次:将芯片取出,用去离子水冲洗以去除残余洗液,并置于45℃的去离子水浴中,超声清洗10min第3次:再次将芯片取出,去离子水冲洗,置于水浴温度45℃的去离子水中,超声清洗10min;d.水处理:将超声清洗后的芯片从超声设备中取出,并继续置于去离子水浴中1h;e.氮气吹干芯片表面:1h后,将芯片从水浴中取出,并用氮气吹干其表面;f.热压键合:将表面已吹干的芯片盖片和基片,对准后置于热压键合机的上下压头之间,在温度:91~93℃,压力:1.4~1.6Mpa,时间:6min的工艺参数下热压键合。
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