[发明专利]改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法

摘要

本发明一般涉及一种改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法，更确切的说，本发明涉及一种利用多晶硅的附加空置栅以改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法。在CMOS器件中位于NMOS器件、PMOS器件的有源区周围的浅沟槽隔离结构上形成有附加空置栅，NMOS器件、PMOS器件各自的栅极及附加空置栅均被一层接触刻蚀停止层所覆盖，附加空置栅上的接触刻蚀停止层提供对PMOS器件沟道区的压应力，用于部分抵消接触刻蚀停止层对PMOS器件沟道区的张应力。

主权项

一种改进晶体管载流子迁移率的半导体器件，其特征在于，包括：一种第一导电类型的晶体管及一种第二导电类型的晶体管；以及位于第一、第二导电类型晶体管有源区周围的浅沟槽隔离结构，其中，在所述第一导电类型的晶体管的有源区周围的浅沟槽隔离结构上形成有附加空置栅，并且所述第一、第二导电类型晶体管及各自的栅极均被一层接触刻蚀停止层所覆盖；其中，所述接触刻蚀停止层同时覆盖在所述附加空置栅上以提供对第一类导电型晶体管沟道区沟道方向上的压应力，用于部分抵消所述接触刻蚀停止层对第一导电类型晶体管沟道区的沟道方向上所产生的张应力。