[发明专利]改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法

权利要求书

1.一种改进晶体管载流子迁移率的半导体器件，其特征在于，包括：

一种第一导电类型的晶体管及一种第二导电类型的晶体管；以及

位于第一、第二导电类型晶体管有源区周围的浅沟槽隔离结构，其中，在所述第一导电类型的晶体管的有源区周围的浅沟槽隔离结构上形成有附加空置栅，并且所述第一、第二导电类型晶体管及各自的栅极均被一层接触刻蚀停止层所覆盖；

其中，所述接触刻蚀停止层同时覆盖在所述附加空置栅上以提供对第一类导电型晶体管沟道区沟道方向上的压应力，用于部分抵消所述接触刻蚀停止层对第一导电类型晶体管沟道区的沟道方向上所产生的张应力。

2.如权利要求1所述的改进晶体管载流子迁移率的半导体器件，其特征在于，所述的接触刻蚀停止层进一步提供对第二导电类型晶体管沟道区沟道方向上的张应力。

3.如权利要求1所述的改进晶体管载流子迁移率的半导体器件，其特征在于，所述的第一导电类型的晶体管为P型的金属氧化物半导体场效应管；所述的第二导电类型的晶体管为N型的金属氧化物半导体场效应管。

4.如权利要求1所述的改进晶体管载流子迁移率的半导体器件，其特征在于，所述的半导体器件为互补金属氧化物半导体器件。

5.如权利要求1所述的改进晶体管载流子迁移率的半导体器件，其特征在于，所述的接触刻蚀停止层为一层氮化硅薄膜应力层。

6.如权利要求1所述的改进晶体管载流子迁移率的半导体器件，其特征在于，所述第一、第二导电类型晶体管各自的栅极以及附加空置栅均被一侧墙隔离层所环绕，并且该侧墙隔离层被接触刻蚀停止层所覆盖。

7.一种改进晶体管载流子迁移率的方法，其特征在于，包括以下步骤：

于一包含第一、第二导电类型的晶体管的半导体器件中以浅沟槽隔离结构隔离第一、第二导电类型晶体管有源区，并在第一导电类型的晶体管的有源区周围的浅沟槽隔离结构上形成附加空置栅，以一层接触刻蚀停止层覆盖所述第一、第二导电类型晶体管及各自的栅极以及附加空置栅；

所述接触刻蚀停止层在附加空置栅上以提供对第一类导电型晶体管沟道区的沟道方向上的压应力，用于部分抵消所述接触刻蚀停止层对第一导电类型晶体管沟道区的沟道方向上所产生的张应力；

其中，所述附加空置栅与第一、第二导电类型晶体管各自的栅极通过刻蚀同一多晶硅层而同时生成。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在以接触刻蚀停止层覆盖所述第一、第二导电类型晶体管及各自的栅极以及附加空置栅之前，还生成有环绕所述第一、第二导电类型晶体管各自的栅极以及附加空置栅的侧墙隔离层。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，生成的所述接触刻蚀停止层为一层氮化硅薄膜应力层并进一步提供对第二导电类型晶体管沟道区的沟道方向上的张应力。

10.1如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的第一导电类型的晶体管为P型的金属氧化物半导体场效应管，第二导电类型的晶体管为N型的金属氧化物半导体场效应管，并且该半导体器件为互补金属氧化物半导体器件。