[发明专利]DRAM的读出放大器的控制电路及包括其的DRAM有效
| 申请号： | 201110060556.6 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102682827A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 解玉凤;林殷茵;薛晓勇;孟超 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于DRAM技术领域，具体为一种DRAM的读出放大器的控制电路及包括其的DRAM。本发明的读出放大器的控制电路包括控制信号生成电路，与所述DRAM（动态随机存取存储器）的存储单元相应的冗余单元，以及冗余字线驱动模块；其中，所述冗余单元的位线延迟与所述存储单元的位线延迟相匹配。本发明的DRAM包括存储阵列、所述存储阵列中的存储单元的读通路；所述存储阵列中还包括冗余单元，所述DRAM还包括所述读出放大器的控制电路。该DRAM的读操作速度大为提高。 | ||
| 搜索关键词： | dram 读出 放大器 控制电路 包括 | ||
【主权项】：
一种动态随机存取存储器的读出放大器的控制电路，所述控制电路包括控制信号生成电路，其特征在于，所述控制电路还包括：与所述动态随机存取存储器的存储单元相应的冗余单元、以及冗余字线驱动模块；其中，所述冗余单元的位线延迟与所述存储单元的位线延迟相匹配。
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