[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201110052233.2 申请日: 2011-03-04
公开(公告)号: CN102194716A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 饭岛利恒 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L21/78;H01L23/495;H01L23/29
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 基于本发明的一实施例的半导体装置的制造方法包含以下工序:覆盖工序,使多个基板互相分离地对分别搭载有半导体芯片的多个基板用密封树脂进行覆盖;及切断工序,切断多个基板间的密封树脂。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具备:将分别搭载有半导体芯片的多个基板以规定的间隔粘着到支撑体的工序;将密封树脂形成于所述支撑体、以使得该密封树脂覆盖所述多个基板及多个所述半导体芯片的工序;将配线图案形成于所述密封树脂、以使得该配线图案与各个所述半导体芯片电连接的工序;将配线保护膜形成于包含所述配线图案的所述密封树脂、并使得所述配线图案的一部分露出的工序;形成外部电极、以使得该外部电极与从所述配线保护膜露出的所述配线图案相接触的工序;切断所述密封树脂及所述配线保护膜的工序;和将被所述密封树脂覆盖的所述半导体芯片及所述基板从所述支撑体剥离的工序。
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