[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置有效
申请号: | 201110052233.2 | 申请日: | 2011-03-04 |
公开(公告)号: | CN102194716A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 饭岛利恒 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/78;H01L23/495;H01L23/29 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请基于2010年3月5日提交的在先日本专利申请2010-049348号并享受其优先权,后者的全部内容以引用的方式并入于此。
技术领域
本发明涉及一种通过树脂密封了半导体芯片及基板的半导体装置的制造方法及半导体装置。
背景技术
作为以往的半导体装置,公知有通过密封树脂密封了半导体芯片及基板的半导体装置。目前正在探讨通过统一形成该多个半导体装置来容易并且低价地制造多个半导体装置的方法。该方法在下面进行详述。
首先,将多个半导体芯片的下表面粘着在工具上。接着,在包含全部多个半导体芯片的工具上形成密封树脂。由此,各个半导体芯片通过密封树脂被密封。接着,除去密封树脂直到各半导体芯片的上表面露出,并在包含多个半导体芯片的上表面的密封树脂上粘贴一枚基板。之后,将工具从通过密封树脂及基板而得到的一体化的多个半导体芯片的集合体剥离,并在各半导体芯片的下表面统一形成配线图案、阻焊膜、BGA球。最后,通过对密封树脂及基板进行切割等方法来切削切断,从而使各半导体装置单片化。
另外,在本申请中,所谓上述多个半导体装置的统一形成是指,通过树脂对多个半导体芯片进行统一密封,在统一形成配线图案等后,通过切断树脂来形成多个半导体装置。
但是,对于统一形成上述以往的多个半导体装置的方法而言,当应用特别是由比例如金属、陶瓷等的树脂更硬的材料构成的基板时,在最终的切削切断工序中,难以将基板切断。因此,在切削切断工序中,对于配线图案、阻焊膜发生切断毛刺(切断バリ)等损伤,存在装置的成品率降低的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而做出的,目的在于提供一种能够提高半导体装置成品率的半导体装置的制造方法、以及通过该制造方法制造的半导体装置。
本发明的一实施方式提供一种半导体装置的制造方法,具有:将多个基板粘着于支撑体的工序;形成密封树脂的工序;形成配线图案的工序;形成配线保护膜的工序;形成外部电极的工序;切断所述密封树脂及所述配线保护膜的工序;以及将被所述密封树脂所覆盖的半导体芯片及所述基板从所述支撑体剥离的工序。将多个基板粘着于支撑体的工序是指,将分别搭载有所述半导体芯片的所述多个基板以规定的间隔粘着于所述支撑体的工序。形成所述密封树脂的工序是指,将所述密封树脂形成于所述支撑体以覆盖所述多个基板及多个所述半导体芯片的工序。形成所述配线图案的工序是指,将所述配线图案形成于所述密封树脂以使得与各个所述半导体芯片电连接的工序。形成所述配线保护膜的工序是指,将所述配线保护膜形成于包含所述配线图案的所述密封树脂并使所述配线图案的一部分露出的工序。形成所述外部电极的工序是指,形成所述外板电极以使得该外部电极与从所述配线保护膜露出的所述配线图案相接触的工序。
本发明的另一实施方式提供一种半导体装置的制造方法,具备,
将分别搭载有半导体芯片的多个基板以规定的间隔粘着到支撑体的工序;将密封树脂形成于所述支撑体、以使得该密封树脂覆盖所述多个基板及多个所述半导体芯片的工序;在所述密封树脂中形成使所述基板的侧面露出的槽的工序;将配线图案形成于所述密封树脂、以使得该配线图案与各个所述半导体芯片电连接的工序;将配线保护膜形成于包含所述配线图案的所述密封树脂、并使得所述配线图案的一部分露出的工序;形成外部电极、以使得该外部电极与从所述配线保护膜露出的所述配线图案相接触的工序;和将被所述密封树脂覆盖的所述半导体芯片及所述基板从所述支撑体剥离的工序。
本发明的半导体装置,具备,
基板,该基板与半导体芯片的上表面相接触;密封树脂,该密封树脂形成得覆盖所述基板的侧面及下表面、并且覆盖所述半导体芯片;配线图案,该配线图案形成在所述密封树脂的下表面,并与所述半导体芯片电连接;配线保护膜,该配线保护膜形成在包含所述配线图案的所述密封树脂的下表面,使所述配线图案的一部分露出;和外部电极,该外部电极形成得与从该配线保护膜露出的所述配线图案相接触。
发明效果
根据本发明,能够提高半导体装置成品率。
附图说明
图1为从下表面侧看到的、由基于本发明的第1实施例的半导体装置的制造方法所形成的半导体装置的平面图。
图2为沿图1的点划线A-A’表示的剖视图。
图3为从下表面侧看到的、图1及图2中所示的半导体装置的制造工序的平面图。
图4为沿图3的点划线B-B’表示图1及图2中所示的半导体装置的制造工序的装置的剖视图。
图5为用于对图4的方法进行更具体地说明的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造