[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

将分别搭载有半导体芯片的多个基板以规定的间隔粘着到支撑体的工序；

将密封树脂形成于所述支撑体、以使得该密封树脂覆盖所述多个基板及多个所述半导体芯片的工序；

将配线图案形成于所述密封树脂、以使得该配线图案与各个所述半导体芯片电连接的工序；

将配线保护膜形成于包含所述配线图案的所述密封树脂、并使得所述配线图案的一部分露出的工序；

形成外部电极、以使得该外部电极与从所述配线保护膜露出的所述配线图案相接触的工序；

切断所述密封树脂及所述配线保护膜的工序；和

将被所述密封树脂覆盖的所述半导体芯片及所述基板从所述支撑体剥离的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

切断所述密封树脂的工序，是使所述密封树脂残留在所述基板的整个侧面地切断所述密封树脂的工序。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述基板含有不锈钢、铜、陶瓷中的某一种。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述基板的上表面形成有镀层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

切断所述密封树脂的工序，是使所述密封树脂的一部分残留在所述支撑体的下表面地切断所述密封树脂的工序。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

将所述半导体芯片及所述基板从所述支撑体剥离的工序，是通过利用贯通所述支撑体的顶出销来顶出所述半导体芯片及所述基板、从而将残留在所述支撑体下表面的所述密封树脂切断、并且将所述半导体芯片及所述基板从所述支撑体剥离的工序。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述支撑体具有所述顶出销能够贯通的开口。

8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述基板包含不锈钢、铜、陶瓷中的某一种。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述基板的上表面形成有镀层。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备，

将分别搭载有半导体芯片的多个基板以规定的间隔粘着到支撑体的工序；

将密封树脂形成于所述支撑体、以使得该密封树脂覆盖所述多个基板及多个所述半导体芯片的工序；

在所述密封树脂中形成使所述基板的侧面露出的槽的工序；

将配线图案形成于所述密封树脂、以使得该配线图案与各个所述半导体芯片电连接的工序；

将配线保护膜形成于包含所述配线图案的所述密封树脂、并使得所述配线图案的一部分露出的工序；

形成外部电极、以使得该外部电极与从所述配线保护膜露出的所述配线图案相接触的工序；和

将被所述密封树脂覆盖的所述半导体芯片及所述基板从所述支撑体剥离的工序。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述基板包含不锈钢、铜、陶瓷中的某一种。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述基板的上表面及侧面形成有镀层。

13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述密封树脂中形成使所述基板的侧面露出的槽的工序，是在所述密封树脂中形成使所述基板的侧面的一部分露出的槽的工序，

该半导体装置的制造方法还具有，

在将所述半导体芯片及所述基板从所述支撑体剥离的工序之前切断所述密封树脂的工序。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述基板包含不锈钢、铜、陶瓷中的某一种。

15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述基板的上表面及侧面形成有镀层。