[发明专利]晶圆级半导体封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110051621.9 | 申请日： | 2011-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102468257B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 约翰·R·杭特 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆级半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括至少一半导体芯片、中介层组件、封装体及下重布层。半导体芯片具有主动面。中介层组件具有上表面及下表面，中介层组件具有至少一导通孔，导通孔延伸于上表面与下表面之间。封装体包覆部分的主动芯片及部分之中介层组件。下重布层电性连接中介层组件与半导体芯片的主动面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，包括：至少一半导体芯片，具有一主动面；一中介层组件，具有一上表面及一下表面，该中介层组件具有至少一导通孔，该至少一导通孔延伸于该上表面与该下表面之间，该中介层组件包含一基板材料，该基板材料包含金属、聚合物、金属合金或玻璃；一封装体，包覆部分的该半导体芯片及部分的该中介层组件；以及一下重布层，电性连接该中介层组件与该半导体芯片的该主动面，其中，该导通孔包括一内导电机制及一外介电层，该外介电层环绕该内导电机制，并位于该中介层组件的该基板材料与该内导电机制之间，使该内导电机制不与该封装体直接接触。
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