[发明专利]晶圆级半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

至少一半导体芯片，具有一主动面；

一中介层组件，具有一上表面及一下表面，该中介层组件具有至少一导通孔，该至少一导通孔延伸于该上表面与该下表面之间；

一封装体，包覆部分的该主动芯片及部分的该中介层组件；以及

一下重布层，电性连接该中介层组件与该半导体芯片的该主动面。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，更包括：

一上重布层，邻近于该中介层组件的该上表面。

3.如权利要求2所述的半导体封装件，更包括：

一电性触点，从该半导体封装件的一上周缘露出，其中该电性触点电性连接另一半导体封装件与该上重布层。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该导通孔包括一内导电机制及一外介电层，该外介电层环绕该内导通机制；以及，该内导通机制从该中介层组件的该下表面露出以电性连接于该下重布层。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该导通孔包括一内导电机制及一外介电层，该外介电层环绕该内导通机制；以及，该内导电机制突出超过该中介层组件的该下表面以电性连接于该下重布层。

6.如权利要求2所述的半导体封装件，其中该导通孔包括一内导电机制及一外介电层，该外介电层环绕该内导通机制；以及，该内导电机制与该中介层组件的该上表面共面以电性连接于该上重布层。

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该中介层组件数个分离的中介层组件的一者，该些分离之中介层组件环绕该半导体芯片的一侧周缘。

8.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该中介层组件包括：

一绕线层，沿该中介层组件的一下表面侧向地延伸。

9.如权利要求8所述的半导体封装件，其中该绕线层包括：

一被动电性组件，邻近于该中介层组件的该下表面，其中，该绕线层电性连接该被动电性组件与该至少一导通孔。

10.一种半导体封装件，包括：

至少一半导体芯片，具有一主动面；

一中介层组件，具有一上表面及一下表面，该中介层组件具有至少一导通孔，该至少一导通孔延伸于该上表面与该下表面之间；

一封装体，包覆部分的该主动芯片及部分的该中介层组件；

一下重布层，电性连接该中介层组件与该半导体芯片的该主动面；以及

一电性触点，从该半导体封装件的一上周缘露出；

其中，该下重布层电性连接该电性触点与该半导体芯片的该主动面及该中介层组件，该下重布层邻近该半导体芯片的该主动面设置。

11.如权利要求10所述的半导体封装件，更包括：

一上重布层，邻近于该中介层组件的该上表面。

12.如权利要求10所述的半导体封装件，其中该中介层组件数个分离的中介层组件的一者，该些分离之中介层组件环绕该半导体芯片的一侧周缘。

13.如权利要求12所述的半导体封装件，其中该封装体环绕各该分离之中介层组件的一侧周缘延伸。

14.一种半导体封装件的形成方法，包括：

提供一半导体芯片，该半导体芯片具有一主动面；

邻近该半导体芯片放置一中介层组件，该中介层组件具有一上表面及一下表面，该中介层组件具有至少一第一导通孔，该至少一第一导通孔延伸至该下表面；

以一包覆剂，包覆部分的该半导体芯片及部分的该中介层组件，使该半导体芯片的该主动面、该中介层组件的该下表面及部分的该包覆剂形成一实质上共面；以及

形成一下重布层于该实质上共面，该下重布层电性连接于该中介层组件与该半导体芯片的该主动面。

15.如权利要求14所述的形成方法，更包括：

移除该中介层组件的一部分，以露出该第一导通孔于该中介层组件的该上表面。

16.如权利要求14所述的形成方法，其中于该包覆部分的该半导体芯片及部分的该中介层组件的该步骤包括：

以该包覆剂，环绕该中介层组件的一侧周缘。

17.如权利要求16所述的形成方法，其中该半导体芯片定义一第二导通孔，该第二导通孔从该半导体芯片的该主动面延伸至该半导体芯片的一背面；以及，该第二导通孔电性连接于该半导体芯片及该上重布层。