[发明专利]像素结构及其制作方法有效
| 申请号: | 201110045946.6 | 申请日: | 2011-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN102176458A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
| 发明(设计)人: | 李振岳;游镇宇;彭佳添 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开一种像素结构及其制作方法。此像素结构包括基板、薄膜晶体管、第一电极、平坦层以及第二电极。薄膜晶体管配置于基板上。薄膜晶体管具有漏极。第一电极配置于基板上,且第一电极覆盖并且接触漏极。平坦层配置于基板上,并且覆盖薄膜晶体管以及第一电极。平坦层具有对应于第一电极的凹陷。第二电极配置于平坦层上。第二电极包括相互平行的多个条状电极图案。这些条状电极图案位于凹陷内。 | ||
| 搜索关键词: | 像素 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种像素结构,包括:基板;薄膜晶体管,配置于该基板上,该薄膜晶体管具有漏极;第一电极,配置于该基板上,且该第一电极覆盖并且接触该漏极;平坦层,配置于该基板上,并且覆盖该薄膜晶体管以及该第一电极,该平坦层具有对应于该第一电极的凹陷;以及第二电极,配置于该平坦层上,该第二电极包括相互平行的多个条状电极图案,该多个条状电极图案位于该凹陷内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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