[发明专利]像素结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201110045946.6 申请日: 2011-02-25
公开(公告)号: CN102176458A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 李振岳;游镇宇;彭佳添 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种像素结构及其制作方法。此像素结构包括基板、薄膜晶体管、第一电极、平坦层以及第二电极。薄膜晶体管配置于基板上。薄膜晶体管具有漏极。第一电极配置于基板上,且第一电极覆盖并且接触漏极。平坦层配置于基板上,并且覆盖薄膜晶体管以及第一电极。平坦层具有对应于第一电极的凹陷。第二电极配置于平坦层上。第二电极包括相互平行的多个条状电极图案。这些条状电极图案位于凹陷内。
搜索关键词: 像素 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种像素结构,包括:基板;薄膜晶体管,配置于该基板上,该薄膜晶体管具有漏极;第一电极,配置于该基板上,且该第一电极覆盖并且接触该漏极;平坦层,配置于该基板上,并且覆盖该薄膜晶体管以及该第一电极,该平坦层具有对应于该第一电极的凹陷;以及第二电极,配置于该平坦层上,该第二电极包括相互平行的多个条状电极图案,该多个条状电极图案位于该凹陷内。
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