[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201110040295.1 | 申请日： | 2011-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102169940A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 矢羽田孝辅;沟渊尚嗣;森敬洋;出口将士;户谷真悟 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;陈炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种半导体发光元件，其包括：包括夹在第一和第二导电型层之间的发光层的半导体层叠结构，用于在第二导电型层侧提取来自发光层的发射光；与第二导电型层欧姆接触的透明电极；形成在透明电极上的绝缘层；形成在绝缘层上的用于引线键合的上电极；下电极，其穿透绝缘层，与透明电极和用于引线键合的电极欧姆接触，并且在顶视图中具有比上电极小的面积；以及反射部分，其用于至少反射透过不与下电极接触的透明电极的区域的光的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包括：包括夹在第一和第二导电型层之间的发光层的半导体层叠结构，用于在所述第二导电型层侧提取来自所述发光层的发射光；与所述第二导电型层欧姆接触的透明电极；形成在所述透明电极上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的用于引线键合的上电极；下电极，其穿透所述绝缘层，与所述透明电极和所述用于引线键合的电极欧姆接触，并且在顶视图中具有比所述上电极小的面积；以及反射部分，其用于至少反射透过不与所述下电极接触的所述透明电极的区域的光的部分。
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