[发明专利]半导体发光元件

说明书

本申请基于分别在2010年2月17日和2010年11月24日提交的日本专利申请第2010-032427号和第2010-261646号，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及一种设置有用于引线键合的电极的半导体发光元件。

背景技术

已知一种传统的半导体发光元件，其中，按照缓冲层、n型层、发光层和p型层的顺序，将这些层形成在由蓝宝石形成的衬底上(例如参见JP-A-2000-77717)。通过蚀刻部分地去除p型层和发光层，在n型层的暴露表面上形成n电极，并且在p型层上形成透光p电极。在p型层上形成绝缘膜，通过打开绝缘膜的部分而使p电极的表面暴露，并且在暴露的p电极上形成焊盘电极(pad electrode)。

同时，在JP-A-2000-77717中描述的半导体发光元件中，需要选择与p电极欧姆接触的材料作为焊盘电极的材料，并且除了选择具有对从发光层发射的光的低反射率的材料之外，没有其它选择。另外，考虑到到键合引线的连接，有必要把焊盘电极形成为具有相对大的面积。这产生了以下问题：焊盘电极的光吸收量大，从而导致元件的光提取效率降低。

发明内容

因此，本发明的目的是改进设置有用于引线键合的电极的半导体发光元件的光提取效率。

(1)根据本发明的一个实施例，半导体发光元件包括：

包括夹在第一和第二导电型层之间的发光层的半导体层叠结构，用于在第二导电型层侧提取来自发光层的发射光；

与第二导电型层欧姆接触的透明电极；

形成在透明电极上的绝缘层；

形成在绝缘层上的用于引线键合的上电极；

下电极，其穿透绝缘层，与透明电极和用于引线键合的电极欧姆接触，并在顶视图中具有比上电极小的面积；以及

反射部分，其用于至少反射透过不与下电极接触的透明电极的区域的光的部分。

在本发明的以上实施例(1)中，可以进行以下修改和变化。

(i)反射部分在绝缘层中被形成为具有比上电极的对从发光层发射的光的反射率高的对从发光层发射的光的反射率，并且不与透明电极、上电极和下电极接触。

(ii)上电极与下电极整体地形成。

(iii)下电极是与透明电极欧姆接触的焊盘电极。

(iv)上电极包括用于连接键合引线的键合区域和从键合区域延伸的线性延伸区域，并且

反射部分被形成在键合区域和延伸区域之下。

(v)上电极包括用于连接键合引线的键合区域和从键合区域延伸的线性延伸区域，并且

反射部分被形成在延伸区域之下。

(vi)上电极包括用于连接键合引线的键合区域和从键合区域延伸的线性延伸区域，并且

反射部分被形成在键合区域之下。

(vii)上电极包括用于连接键合引线的键合区域和从键合区域延伸的线性延伸区域，并且

在延伸区域之下的反射部分的区域是这样的线性区域，其沿着延伸区域的长度方向被形成为具有比延伸区域的宽度的230％小的宽度。

(viii)反射部分被形成为上电极的下部或整个部分，使得对从发光层发射的光的反射率比下电极的对从发光层发射的光的反射率高。

(ix)上电极对绝缘层的粘附力比下电极对绝缘层的粘附力高。

(x)第一和第二导电型层分别是n型和p型半导体层，

第一和第二导电型层和发光层包括氮化物化合物半导体，

透明电极包括导电氧化物，并且

下电极具有与透明电极欧姆接触的下焊盘电极和与下焊盘电极欧姆接触的上焊盘电极。

(xi)半导体发光元件还包括：

n电极，其包括与第一导电型层欧姆接触的下n电极和与下n电极欧姆接触的上n电极。

(xii)上电极包括用于连接键合引线的键合区域和从键合区域延伸的线性延伸区域，并且

反射部分被形成在延伸区域之下和之上。

(xiii)上电极包括用于连接键合引线的键合区域和从键合区域延伸的线性延伸区域，并且

反射部分被形成在键合区域之下，并且在延伸区域之下和之上。

发明要点

根据本发明的一个实施例，发光元件被构造成使得绝缘层被形成在p电极上，并且与p电极欧姆接触的下p焊盘电极与用于引线键合的上p焊盘电极分开地形成。由此，可降低焊盘电极的光吸收量并且有效地反射光，从而可提高发光元件的光提取效率。

附图说明

接下来，将结合附图更详细地说明本发明，在附图中：

图1是示出了本发明的第一实施例中的半导体发光元件的截面示意图；