[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包括：

包括夹在第一和第二导电型层之间的发光层的半导体层叠结构，用于在所述第二导电型层侧提取来自所述发光层的发射光；

与所述第二导电型层欧姆接触的透明电极；

形成在所述透明电极上的绝缘层；

形成在所述绝缘层上的用于引线键合的上电极；

下电极，其穿透所述绝缘层，与所述透明电极和所述用于引线键合的电极欧姆接触，并且在顶视图中具有比所述上电极小的面积；以及

反射部分，其用于至少反射透过不与所述下电极接触的所述透明电极的区域的光的部分。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述反射部分在所述绝缘层中被形成为具有比所述上电极的对从所述发光层发射的光的反射率高的对从所述发光层发射的光的反射率，并且不与所述透明电极、所述上电极和所述下电极接触。

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中所述上电极与所述下电极整体地形成。

4.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，所述下电极是与所述透明电极欧姆接触的焊盘电极。

5.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，所述上电极包括用于连接键合引线的键合区域和从所述键合区域延伸的线性延伸区域，并且

所述反射部分被形成在所述键合区域和所述延伸区域之下。

6.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，所述上电极包括用于连接键合引线的键合区域和用于从所述键合区域延伸的线性延伸区域，并且

所述反射部分被形成在所述延伸区域之下。

7.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，所述上电极包括用于连接键合引线的键合区域和从所述键合区域延伸的线性延伸区域，并且

所述反射部分被形成在所述键合区域之下。

8.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，所述上电极包括用于连接键合引线的键合区域和从所述键合区域延伸的线性延伸区域，并且

在所述延伸区域之下的所述反射部分的区域是这样的线性区域，其沿着所述延伸区域的长度方向被形成为具有比所述延伸区域的宽度的230％小的宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述反射部分被形成为所述上电极的下部或整个部分，使得对从所述发光层发射的光的反射率比所述下电极的对从所述发光层发射的光的反射率高。

10.根据权利要求9所述的半导体发光元件，其中，所述上电极对所述绝缘层的粘附力比所述下电极对所述绝缘层的粘附力高。

11.根据权利要求10所述的半导体发光元件，其中，所述第一和第二导电型层分别是n型和p型半导体层，

所述第一和第二导电型层和所述发光层包括氮化物化合物半导体，

所述透明电极包括导电氧化物，并且

所述下电极具有与所述透明电极欧姆接触的下焊盘电极和与所述下焊盘电极欧姆接触的上焊盘电极。

12.根据权利要求11所述的半导体发光元件，还包括：

n电极，其包括与所述第一导电型层欧姆接触的下n电极和与所述下n电极欧姆接触的上n电极。

13.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，所述上电极包括用于连接键合引线的键合区域和从所述键合区域延伸的线性延伸区域，并且

所述反射部分被形成在所述延伸区域之下和之上。

14.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，所述上电极包括用于连接键合引线的键合区域和从所述键合区域延伸的线性延伸区域，并且

所述反射部分被形成在所述键合区域之下，并且在延伸区域之下和之上。